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Zero temperature coefficient bias in MOS devices. Dependence on interface traps density, application to MOS dosimetry
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Charge trapping/detrapping in HfO2-based MOS devices
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Temperature error minimization in low dose radiation measurements with 140 nm MOS dosimeters
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Carbonetto, S.H.
,
Inza, M.A.G.
,
Lipovetzky, J.
,
Redin
,
E.G
.
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Experimental evidence and modeling of two types of electron traps in Al2O3 for nonvolatile memory applications
por
Sambuco Salomone, L.
,
Lipovetzky, J.
,
Carbonetto, S.H.
,
García Inza, M.A.
,
Redin
,
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Temperature error minimization in low dose radiation measurements with 140 nm MOS dosimeters
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Carbonetto, S.H
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