Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Real, Mariano, Lass, Eric A., Liu, Fan-Hung, Shen, Tian, Jones, George R., Soons, Johannes A., Newell, David B., Davydov, Albert V., Elmquist, Randolph E., INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE. New York, US
Formato: article
Lenguaje:Inglés
Publicado: IEEE 2013
Materias:
Resistencia eléctrica
Mediciones eléctricas
Difusión
Crecimiento
Morfología
Superficies
Grafito
Ensayos
Acceso en línea:http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH015c/c0bd034e.dir/doc.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) de INTI

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