Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar

por Real, Mariano, Tonina, A., Elmquist, Randolph E., Lass, Eric A., Liu, Fan-Hung, Soons, Johannes A., INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, US, TecnoINTI 2013
Publicado 2013

Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards

por Real, Mariano, Lass, Eric A., Liu, Fan-Hung, Shen, Tian, Jones, George R., Soons, Johannes A., Newell, David B., Davydov, Albert V., Elmquist, Randolph E., INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE. New York, US
Publicado 2013