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Adaptive threshold in TiO 2 -based synapses

por Ghenzi, N.
Publicado 2019

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Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films

por Ghenzi, N.
Publicado 2015

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Tailoring conductive filaments by electroforming polarity in memristive based TiO2 junctions

por Ghenzi, N.
Publicado 2014

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4

Adaptive threshold in TiO2-based synapses

por Ghenzi, N., Barella, M., Rubi, D., Acha, C.
Publicado 2022

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Adaptive threshold in TiO 2 -based synapses

por Ghenzi, N., Barella, M., Rubi, D., Acha, C.

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Understanding electroforming in bipolar resistive switching oxides

por Gomez-Marlasca, F., Ghenzi, N., Rozenberg, M.J., Levy, P.

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Erratum: Understanding electro-forming in bipolar resistive switching oxides (Applied Physics Letters (2011) 98 (042901))

por Gomez-Marlasca, F., Ghenzi, N., Rozenberg, M.J., Levy, P.

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Hysteresis switching loops in Ag-manganite memristive interfaces

por Ghenzi, N., Sánchez, M.J., Gomez-Marlasca, F., Levy, P., Rozenberg, M.J.
Publicado 2010

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Hysteresis switching loops in Ag-manganite memristive interfaces

por Ghenzi, N., Sánchez, M.J., Gomez-Marlasca, F., Levy, P., Rozenberg, M.J.

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Hysteresis switching loops in Ag-manganite memristive interfaces

por Ghenzi, N., Sánchez, M.J., Gomez-Marlasca, F., Levy, P., Rozenberg, M.J.
Publicado 2010

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11

Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films

por Ghenzi, N., Rozenberg, M.J., Llopis, R., Levy, P., Hueso, L.E., Stoliar, P.

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12

Tailoring conductive filaments by electroforming polarity in memristive based TiO2 junctions

por Ghenzi, N., Sánchez, M.J., Rubi, D., Rozenberg, M.J., Urdaniz, C., Weissman, M., Levy, P.

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13

Optimization of resistive switching performance of metal-manganite oxide interfaces by a multipulse protocol

por Ghenzi, N., Snchez, M.J., Rozenberg, M.J., Stoliar, P., Marlasca, F.G., Rubi, D., Levy, P.
Publicado 2012

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14

Asymmetric pulsing for reliable operation of titanium/manganite memristors

por Gomez-Marlasca, F., Ghenzi, N., Stoliar, P., Sánchez, M.J., Rozenberg, M.J., Leyva, G., Levy, P.

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15

Two resistive switching regimes in thin film manganite memory devices on silicon

por Rubi, D., Tesler, F., Alposta, I., Kalstein, A., Ghenzi, N., Gomez-Marlasca, F., Rozenberg, M., Levy, P.

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16

Optimization of resistive switching performance of metal-manganite oxide interfaces by a multipulse protocol

por Ghenzi, N., Snchez, M.J., Rozenberg, M.J., Stoliar, P., Marlasca, F.G., Rubi, D., Levy, P.

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Optimization of resistive switching performance of metal-manganite oxide interfaces by a multipulse protocol

por Ghenzi, N., Snchez, M.J., Rozenberg, M.J., Stoliar, P., Marlasca, F.G., Rubi, D., Levy, P.
Publicado 2012

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18

One-transistor one-resistor (1T1R) cell for large-area electronics

por Ghenzi, N., Rozenberg, M., Pietrobon, L., Llopis, R., Gay, R., Beltrán, M., Knez, M., Hueso, L., Stoliar, P.
Publicado 2019

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19

Nonvolatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit

por Stoliar, P., Levy, P., Sanchez, M.J., Leyva, A.G., Albornoz, C.A., Gomez-Marlasca, F., Zanini, A., Toro Salazar, C., Ghenzi, N., Rozenberg, M.J.

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20

Erratum: Understanding electro-forming in bipolar resistive switching oxides (Applied Physics Letters (2011) 98 (042901))

por Gomez-Marlasca, F.
Publicado 2011
Otros Autores: “...Ghenzi, N....”

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