In situ electrical characterization of palladium-based single electron transistors made by electromigration technique

por Arzubiaga, L., Golmar, F., Llopis, R., Casanova, F., Hueso, L. E.
Publicado 2014

In situ electrical characterization of palladium-based single electron transistors made by electromigration technique

por Arzubiaga, L., Golmar, F., Llopis, R., Casanova, F., Hueso, L. E.
Publicado 2014

Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films

por Ghenzi, N., Rozenberg, M.J., Llopis, R., Levy, P., Hueso, L.E., Stoliar, P.

One-transistor one-resistor (1T1R) cell for large-area electronics

por Ghenzi, N., Rozenberg, M., Pietrobon, L., Llopis, R., Gay, R., Beltrán, M., Knez, M., Hueso, L., Stoliar, P.
Publicado 2019

C60-based hot-electron magnetic tunnel transistor

por Gobbi, M., Bedoya-Pinto, A., Golmar, F., Llopis, R., Casanova, F., Hueso, L.E., CIC nanoGUNE Consolider. Donostia – San Sebastián, ES, INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires, AR, IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao, ES
Publicado 2012

Resistive switching in rectifying interfaces of metal-semiconductor-metal structures

por Zazpe, R., Stoliar, P., Golmar, F., Llopis, R., Casanova, F., Hueso, L.E., CIC nanoGUNE. Donostia – San Sebastián, ES, IMN, Universite de Nantes. CNRS. Nantes, FR, Escuela de Ciencia y Tecnología. ECyT, UNSAM. San Martín, pcia. de Bs As, AR, INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires, AR, IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao, ES
Publicado 2013