Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura

El nitruro de aluminio es un compuesto cerámico con multitud de aplicaciones tecnológicas en muchos campos, tales como la óptica, la electrónica y los dispositivos resonadores. La eficiencia del AlN es altamente dependiente de las condiciones experimentales de deposición. En este artículo se analiza...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: García Molleja, Javier, Gómez, Bernardo Jose Armando, Abdallah, Bassam, Djouadi, Mohamed Abdou, Feugeas, Jorge Néstor, Jouan, P. -Y.
Lenguaje:Español
Publicado: 2015
Materias:
ALN
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v26_n04_p190
Aporte de:
id todo:afa_v26_n04_p190
record_format dspace
spelling todo:afa_v26_n04_p1902023-10-03T13:24:58Z Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura Study of AlN thin films deposited by DC magnetron sputtering : effect of pressure on texture García Molleja, Javier Gómez, Bernardo Jose Armando Abdallah, Bassam Djouadi, Mohamed Abdou Feugeas, Jorge Néstor Jouan, P. -Y. ALN SPUTTERING REACTIVO DC MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE ALTA RESOLUCION PERFIL DE TENSIONES DIFRACCION DE RAYOS X ALN DC REACTIVE SPUTTERING HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STRESS PROFILE X-RAY DIFFRACTION El nitruro de aluminio es un compuesto cerámico con multitud de aplicaciones tecnológicas en muchos campos, tales como la óptica, la electrónica y los dispositivos resonadores. La eficiencia del AlN es altamente dependiente de las condiciones experimentales de deposición. En este artículo se analiza el efecto de la presión de trabajo en el desarrollo de tensiones residuales en su estructura. Para ello, se depositaron películas delgadas de AlN mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo con presión de trabajo variable (3-6 mTorr) sobre Si (100). Estas muestras se caracterizaron mediante medición de curvatura de la muestra, XRD (Difracción de Rayos X), HRTEM (Microscopía Electrónica de Transmisión de Alta Resolución) y SAED (Difracción de Electrones en Área Seleccionada). Los resultados muestran que la tensión residual depende del espesor de la película: compresiva a bajos valores, de tración a altos valores. Además, la tensión residual es dependiente de la presión de trabajo, luego a más presión menos tensión residual, inhibiendo el desarrollo de la textura en el plano (00·2), vital para las aplicaciones tecnológicas Aluminum nitride is a ceramic compound with many technological applications in several fields: optics, electronics and resonators. AlN performance is highly dependent on experimental conditions during film deposition. This paper focuses on the effect of working pressure on residual stress development. Thus, AlN thin films have been deposited with reactive DC magnetron sputtering technique under different working pressures (3- 6 mTorr) on Si (100) substrates. These samples were characterized by XRD (X-Ray Diffraction), HRTEM (High Resolution Transmission Electron Microscopy) and SAED (Selected Area Electron Diffraction) techniques. Results show that residual stress is dependent on film thickness: compressive at low thicknesses, tensile at high thicknesses. Moreover, residual stress changes with the working pressure and at high pressures this stress is reduced, hampering the (00·2) texture development, crucial in technological applications Fil: García Molleja, Javier. Université de Nantes. Institut des Matériaux Jean Rouxel. Nantes. Francia Fil: Gómez, Bernardo Jose Armando. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina Fil: Abdallah, Bassam. Université de Nantes. Institut des Matériaux Jean Rouxel. Nantes. Francia Fil: Djouadi, Mohamed Abdou. Université de Nantes. Institut des Matériaux Jean Rouxel. Nantes. Francia Fil: Feugeas, Jorge Néstor. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina Fil: Jouan, P. -Y.. Université de Nantes. Institut des Matériaux Jean Rouxel. Nantes. Francia 2015 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v26_n04_p190
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv Español
topic ALN
SPUTTERING REACTIVO DC
MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE ALTA RESOLUCION
PERFIL DE TENSIONES
DIFRACCION DE RAYOS X
ALN
DC REACTIVE SPUTTERING
HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
STRESS PROFILE
X-RAY DIFFRACTION
spellingShingle ALN
SPUTTERING REACTIVO DC
MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE ALTA RESOLUCION
PERFIL DE TENSIONES
DIFRACCION DE RAYOS X
ALN
DC REACTIVE SPUTTERING
HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
STRESS PROFILE
X-RAY DIFFRACTION
García Molleja, Javier
Gómez, Bernardo Jose Armando
Abdallah, Bassam
Djouadi, Mohamed Abdou
Feugeas, Jorge Néstor
Jouan, P. -Y.
Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura
topic_facet ALN
SPUTTERING REACTIVO DC
MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE ALTA RESOLUCION
PERFIL DE TENSIONES
DIFRACCION DE RAYOS X
ALN
DC REACTIVE SPUTTERING
HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
STRESS PROFILE
X-RAY DIFFRACTION
description El nitruro de aluminio es un compuesto cerámico con multitud de aplicaciones tecnológicas en muchos campos, tales como la óptica, la electrónica y los dispositivos resonadores. La eficiencia del AlN es altamente dependiente de las condiciones experimentales de deposición. En este artículo se analiza el efecto de la presión de trabajo en el desarrollo de tensiones residuales en su estructura. Para ello, se depositaron películas delgadas de AlN mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo con presión de trabajo variable (3-6 mTorr) sobre Si (100). Estas muestras se caracterizaron mediante medición de curvatura de la muestra, XRD (Difracción de Rayos X), HRTEM (Microscopía Electrónica de Transmisión de Alta Resolución) y SAED (Difracción de Electrones en Área Seleccionada). Los resultados muestran que la tensión residual depende del espesor de la película: compresiva a bajos valores, de tración a altos valores. Además, la tensión residual es dependiente de la presión de trabajo, luego a más presión menos tensión residual, inhibiendo el desarrollo de la textura en el plano (00·2), vital para las aplicaciones tecnológicas
author García Molleja, Javier
Gómez, Bernardo Jose Armando
Abdallah, Bassam
Djouadi, Mohamed Abdou
Feugeas, Jorge Néstor
Jouan, P. -Y.
author_facet García Molleja, Javier
Gómez, Bernardo Jose Armando
Abdallah, Bassam
Djouadi, Mohamed Abdou
Feugeas, Jorge Néstor
Jouan, P. -Y.
author_sort García Molleja, Javier
title Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura
title_short Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura
title_full Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura
title_fullStr Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura
title_full_unstemmed Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura
title_sort estudio de películas delgadas de aln depositadas mediante sputtering por magnetrón dc en modo reactivo : efecto de la presión en la textura
publishDate 2015
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v26_n04_p190
work_keys_str_mv AT garciamollejajavier estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura
AT gomezbernardojosearmando estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura
AT abdallahbassam estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura
AT djouadimohamedabdou estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura
AT feugeasjorgenestor estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura
AT jouanpy estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura
AT garciamollejajavier studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture
AT gomezbernardojosearmando studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture
AT abdallahbassam studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture
AT djouadimohamedabdou studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture
AT feugeasjorgenestor studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture
AT jouanpy studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture
_version_ 1807319623239991296