Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura
El nitruro de aluminio es un compuesto cerámico con multitud de aplicaciones tecnológicas en muchos campos, tales como la óptica, la electrónica y los dispositivos resonadores. La eficiencia del AlN es altamente dependiente de las condiciones experimentales de deposición. En este artículo se analiza...
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Autores principales: | , , , , , |
---|---|
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
2015
|
Materias: | |
Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v26_n04_p190 |
Aporte de: |
id |
todo:afa_v26_n04_p190 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
todo:afa_v26_n04_p1902023-10-03T13:24:58Z Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura Study of AlN thin films deposited by DC magnetron sputtering : effect of pressure on texture García Molleja, Javier Gómez, Bernardo Jose Armando Abdallah, Bassam Djouadi, Mohamed Abdou Feugeas, Jorge Néstor Jouan, P. -Y. ALN SPUTTERING REACTIVO DC MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE ALTA RESOLUCION PERFIL DE TENSIONES DIFRACCION DE RAYOS X ALN DC REACTIVE SPUTTERING HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STRESS PROFILE X-RAY DIFFRACTION El nitruro de aluminio es un compuesto cerámico con multitud de aplicaciones tecnológicas en muchos campos, tales como la óptica, la electrónica y los dispositivos resonadores. La eficiencia del AlN es altamente dependiente de las condiciones experimentales de deposición. En este artículo se analiza el efecto de la presión de trabajo en el desarrollo de tensiones residuales en su estructura. Para ello, se depositaron películas delgadas de AlN mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo con presión de trabajo variable (3-6 mTorr) sobre Si (100). Estas muestras se caracterizaron mediante medición de curvatura de la muestra, XRD (Difracción de Rayos X), HRTEM (Microscopía Electrónica de Transmisión de Alta Resolución) y SAED (Difracción de Electrones en Área Seleccionada). Los resultados muestran que la tensión residual depende del espesor de la película: compresiva a bajos valores, de tración a altos valores. Además, la tensión residual es dependiente de la presión de trabajo, luego a más presión menos tensión residual, inhibiendo el desarrollo de la textura en el plano (00·2), vital para las aplicaciones tecnológicas Aluminum nitride is a ceramic compound with many technological applications in several fields: optics, electronics and resonators. AlN performance is highly dependent on experimental conditions during film deposition. This paper focuses on the effect of working pressure on residual stress development. Thus, AlN thin films have been deposited with reactive DC magnetron sputtering technique under different working pressures (3- 6 mTorr) on Si (100) substrates. These samples were characterized by XRD (X-Ray Diffraction), HRTEM (High Resolution Transmission Electron Microscopy) and SAED (Selected Area Electron Diffraction) techniques. Results show that residual stress is dependent on film thickness: compressive at low thicknesses, tensile at high thicknesses. Moreover, residual stress changes with the working pressure and at high pressures this stress is reduced, hampering the (00·2) texture development, crucial in technological applications Fil: García Molleja, Javier. Université de Nantes. Institut des Matériaux Jean Rouxel. Nantes. Francia Fil: Gómez, Bernardo Jose Armando. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina Fil: Abdallah, Bassam. Université de Nantes. Institut des Matériaux Jean Rouxel. Nantes. Francia Fil: Djouadi, Mohamed Abdou. Université de Nantes. Institut des Matériaux Jean Rouxel. Nantes. Francia Fil: Feugeas, Jorge Néstor. Universidad Nacional de Rosario - CONICET. Instituto de Física de Rosario (IFIR). Santa Fe. Argentina Fil: Jouan, P. -Y.. Université de Nantes. Institut des Matériaux Jean Rouxel. Nantes. Francia 2015 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v26_n04_p190 |
institution |
Universidad de Buenos Aires |
institution_str |
I-28 |
repository_str |
R-134 |
collection |
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) |
language |
Español |
orig_language_str_mv |
Español |
topic |
ALN SPUTTERING REACTIVO DC MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE ALTA RESOLUCION PERFIL DE TENSIONES DIFRACCION DE RAYOS X ALN DC REACTIVE SPUTTERING HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STRESS PROFILE X-RAY DIFFRACTION |
spellingShingle |
ALN SPUTTERING REACTIVO DC MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE ALTA RESOLUCION PERFIL DE TENSIONES DIFRACCION DE RAYOS X ALN DC REACTIVE SPUTTERING HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STRESS PROFILE X-RAY DIFFRACTION García Molleja, Javier Gómez, Bernardo Jose Armando Abdallah, Bassam Djouadi, Mohamed Abdou Feugeas, Jorge Néstor Jouan, P. -Y. Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura |
topic_facet |
ALN SPUTTERING REACTIVO DC MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE ALTA RESOLUCION PERFIL DE TENSIONES DIFRACCION DE RAYOS X ALN DC REACTIVE SPUTTERING HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STRESS PROFILE X-RAY DIFFRACTION |
description |
El nitruro de aluminio es un compuesto cerámico con multitud de aplicaciones tecnológicas en muchos campos, tales como la óptica, la electrónica y los dispositivos resonadores. La eficiencia del AlN es altamente dependiente de las condiciones experimentales de deposición. En este artículo se analiza el efecto de la presión de trabajo en el desarrollo de tensiones residuales en su estructura. Para ello, se depositaron películas delgadas de AlN mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo con presión de trabajo variable (3-6 mTorr) sobre Si (100). Estas muestras se caracterizaron mediante medición de curvatura de la muestra, XRD (Difracción de Rayos X), HRTEM (Microscopía Electrónica de Transmisión de Alta Resolución) y SAED (Difracción de Electrones en Área Seleccionada). Los resultados muestran que la tensión residual depende del espesor de la película: compresiva a bajos valores, de tración a altos valores. Además, la tensión residual es dependiente de la presión de trabajo, luego a más presión menos tensión residual, inhibiendo el desarrollo de la textura en el plano (00·2), vital para las aplicaciones tecnológicas |
author |
García Molleja, Javier Gómez, Bernardo Jose Armando Abdallah, Bassam Djouadi, Mohamed Abdou Feugeas, Jorge Néstor Jouan, P. -Y. |
author_facet |
García Molleja, Javier Gómez, Bernardo Jose Armando Abdallah, Bassam Djouadi, Mohamed Abdou Feugeas, Jorge Néstor Jouan, P. -Y. |
author_sort |
García Molleja, Javier |
title |
Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura |
title_short |
Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura |
title_full |
Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura |
title_fullStr |
Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura |
title_full_unstemmed |
Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo : efecto de la presión en la textura |
title_sort |
estudio de películas delgadas de aln depositadas mediante sputtering por magnetrón dc en modo reactivo : efecto de la presión en la textura |
publishDate |
2015 |
url |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v26_n04_p190 |
work_keys_str_mv |
AT garciamollejajavier estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura AT gomezbernardojosearmando estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura AT abdallahbassam estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura AT djouadimohamedabdou estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura AT feugeasjorgenestor estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura AT jouanpy estudiodepeliculasdelgadasdealndepositadasmediantesputteringpormagnetrondcenmodoreactivoefectodelapresionenlatextura AT garciamollejajavier studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture AT gomezbernardojosearmando studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture AT abdallahbassam studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture AT djouadimohamedabdou studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture AT feugeasjorgenestor studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture AT jouanpy studyofalnthinfilmsdepositedbydcmagnetronsputteringeffectofpressureontexture |
_version_ |
1807319623239991296 |