Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo iv mediante el modelo de keating anarmónico

Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras compl...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Mroginski, M. A., Casali, Ricardo Antonio, Caravaca, María de los Ángeles
Formato: Artículo
Lenguaje:Español
Publicado: Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura 2022
Materias:
Complejos atómicos
Estudio de estabilidad
Grupo IV
Acceso en línea:http://repositorio.unne.edu.ar/123456789/31226
Aporte de:
RIUNNE - Repositorio Institucional de la Universidad Nacional del Nordeste (UNNE) de Universidad Nacional del Nordeste
Descripción
Sumario:Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx

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