Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo iv mediante el modelo de keating anarmónico
Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras compl...
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Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura
2022
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I48-R184-123456789-312262025-03-06T10:59:26Z Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo iv mediante el modelo de keating anarmónico Mroginski, M. A. Casali, Ricardo Antonio Caravaca, María de los Ángeles Complejos atómicos Estudio de estabilidad Grupo IV Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx 2022-02-22T20:47:42Z 2022-02-22T20:47:42Z 2021-08-17 Artículo 0325-4216 http://repositorio.unne.edu.ar/123456789/31226 spa https://revistas.unne.edu.ar/index.php/fce/article/view/5503 openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/ application/pdf p. 3-10 application/pdf Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura FACENA, 2003, vol. 19, p. 3-10. |
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Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx |
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