Estudio de la movilidad drift en celdas solares de a-Si:H mediante simulación numérica
En este trabajo se evalúan sistemáticamente por medio de simulaciones numéricas las movilidades drift en junturas de a-Si:H de simple inyección del tipo m-i-m, donde “m” significa metal. Los valores obtenidos son comparados con los medidos. Se usan como datos de partida los parámetros eléctricos, en...
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| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2011
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v23_n02_p080 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo se evalúan sistemáticamente por medio de simulaciones numéricas las movilidades drift en junturas de a-Si:H de simple inyección del tipo m-i-m, donde “m” significa metal. Los valores obtenidos son comparados con los medidos. Se usan como datos de partida los parámetros eléctricos, en particular las movilidades de scattering resultantes de ajustes previos de curvas experimentales corriente tensión (J-V) y de respuesta espectral (SR) de junturas p-i-n de a-Si:H. Las simulaciones son realizadas con el código numérico D- AMPS, al cual se le incorporaron varias opciones para poder evaluar la movilidad drift teniendo en cuenta el atrapamiento de electrones y huecos en los estados de las colas exponenciales y en los profundos, o bien sólo en las colas exponenciales. Para ambos escenarios fue incorporada una opción que permite incluir en el cálculo de la carga atrapada sólo los niveles de energía de la banda prohibida donde el proceso de atrapamiento y reemisión de los portadores es compatible con los tiempos del experimento |
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