Estudio Ab-initio de las propiedades estructurales elástcas y piezoeléctricas del compuesto CdSe
En el presente trabajo presentamos un estudio teórico de la estructura electrónica, propiedades ópticas, elásticas y piezoeléctricas del semiconductor con estructura wurtzita CdSe, obtenidas mediante cálculos ab-initio empleando el método de ondas planas y pseudopotenciales dentro de la teoría de la...
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| Autores principales: | , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2011
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v23_n02_p065 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En el presente trabajo presentamos un estudio teórico de la estructura electrónica, propiedades ópticas, elásticas y piezoeléctricas del semiconductor con estructura wurtzita CdSe, obtenidas mediante cálculos ab-initio empleando el método de ondas planas y pseudopotenciales dentro de la teoría de la funcional densidad (DFT), utilizando la aproximación de gradiente generalizado(GGA). los cálculos basados en DFT suelen despreciar el valor del gap de energía en muchos sistemas, para corregir este efecto se introdujo la corrección GW en el marco de la teoría de perturbación de muchos cuerpos, a partir de esto calculamos el modulo de bulk ajustando valores de energía y volumen mediante la implementación de la ecuación de Birch-Murnaghan, por último mediante las teorías de Voigt y Reuss, estimamos el módulo de elasticidad transversal, el módulo de Young, el coeficiente de Poisson y la corrección anisotrópica del módulo de Bulk |
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