Estudio Ab-initio de las propiedades estructurales elástcas y piezoeléctricas del compuesto CdSe

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En el presente trabajo presentamos un estudio teórico de la estructura electrónica, propiedades ópticas, elásticas y piezoeléctricas del semiconductor con estructura wurtzita CdSe, obtenidas mediante cálculos ab-initio empleando el método de ondas planas y pseudopotenciales dentro de la teoría de la...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	González Lemus, N. V., Albanesi, Eduardo Aldo
Lenguaje:	Español
Publicado:	2011
Materias:	CDSE AB-INITIO DFT GW ELASTICIDAD ELASTICITY
Acceso en línea:	https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v23_n02_p065
Aporte de:	Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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spelling	todo:afa_v23_n02_p0652023-10-03T13:24:19Z Estudio Ab-initio de las propiedades estructurales elástcas y piezoeléctricas del compuesto CdSe Ab-initio study of structural, elastic and piezoelectric properties od CdSe compound González Lemus, N. V. Albanesi, Eduardo Aldo CDSE AB-INITIO DFT GW ELASTICIDAD CDSE AB-INITIO DFT GW ELASTICITY En el presente trabajo presentamos un estudio teórico de la estructura electrónica, propiedades ópticas, elásticas y piezoeléctricas del semiconductor con estructura wurtzita CdSe, obtenidas mediante cálculos ab-initio empleando el método de ondas planas y pseudopotenciales dentro de la teoría de la funcional densidad (DFT), utilizando la aproximación de gradiente generalizado(GGA). los cálculos basados en DFT suelen despreciar el valor del gap de energía en muchos sistemas, para corregir este efecto se introdujo la corrección GW en el marco de la teoría de perturbación de muchos cuerpos, a partir de esto calculamos el modulo de bulk ajustando valores de energía y volumen mediante la implementación de la ecuación de Birch-Murnaghan, por último mediante las teorías de Voigt y Reuss, estimamos el módulo de elasticidad transversal, el módulo de Young, el coeficiente de Poisson y la corrección anisotrópica del módulo de Bulk In this paper we present a theoretical study of electronic structure, optical, elastic and piezoelectric properties of semiconductor with wurtzite structure CdSe, obtained by ab-initio calculations using the method of plane waves and pseudopotentials within the density functional theory (DFT ) using the generalized gradient approximation (GGA). DFT calculations frequently disparage the value of the energy gap in many systems, to correct this, GW correction was introduced in the framework of perturbation theory of many bodies, from this we calculate the bulk modulus adjusted the energy and volume values through the implementation of the Birch-Murnaghan equation, finally by the theories of Voigt and Reuss, we estimate the elastic modulus, Young's modulus, Poisson's ratio and anisotropic correction of bulk module Fil: González Lemus, N. V.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina 2011 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v23_n02_p065
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Estudio Ab-initio de las propiedades estructurales elástcas y piezoeléctricas del compuesto CdSe

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