Contactos eléctricos transparentes mediante nanoestructuración de películas metálicas
En el presente trabajo se propone un método para la fabricación de películas nanoestructuradas de Ag por evaporación al vacío en el cual se mide en tiempo real su resistividad por unidad de espesor (p/c) durante el crecimiento de la misma. La incorporación de un comparador de resistencias permite un...
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Lenguaje: | Español |
Publicado: |
2010
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p037 |
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todo:afa_v22_n02_p0372023-10-03T13:24:01Z Contactos eléctricos transparentes mediante nanoestructuración de películas metálicas Toranzos, V. J. Ortiz, G. P. Koropecki, R. R. PELICULAS DELGADAS NANOESTRUCTURAS CONDUCTIVIDAD TRANSMITANCIA THIN FILMS NANOSTRUCTURES CONDUCTIVITY TRANSMITANCE En el presente trabajo se propone un método para la fabricación de películas nanoestructuradas de Ag por evaporación al vacío en el cual se mide en tiempo real su resistividad por unidad de espesor (p/c) durante el crecimiento de la misma. La incorporación de un comparador de resistencias permite un control del corte de evaporación con el cual se ha logrado repetibilidad en la producción de películas con p/c<10Ω y transmitancia media del 60 % en el espectro visible. Analizamos los efectos de la nanoestructura de las películas delgadas deAg sobre las propiedades electro-ópticas. Encontramos que la conductividad respecto al bulto puede ser menor a baja frecuencia, mientras que mayor en el rango óptico, debido a disipación de energía por la excitación de plasmones In this paper we propose a method for making Ag nanostructured films by evaporation under vacuum and is measured in real time the resistivity per unit thickness (p/c) for the growth of the same. The incorporation of a resistance comparator provides control of evaporation cut and repeatability in the films production with p/c<10 Ω average transmittance 60 % in the visible spectrum. We analyze the Ag surfaces nanostructure effects for electro-optical properties. We found that the conductivity respect to bulk can be lower at low frequency, while larger in the optical range, due to energy dissipation by plasmonic excitation Fil: Toranzos, V. J.. Universidad Nacional del Nordeste - CONICET. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica (IMIT). Corrientes. Argentina Fil: Ortiz, G. P.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Koropecki, R. R.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina 2010 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p037 |
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En el presente trabajo se propone un método para la fabricación de películas nanoestructuradas de Ag por evaporación al vacío en el cual se mide en tiempo real su resistividad por unidad de espesor (p/c) durante el crecimiento de la misma. La incorporación de un comparador de resistencias permite un control del corte de evaporación con el cual se ha logrado repetibilidad en la producción de películas con p/c<10Ω y transmitancia media del 60 % en el espectro visible. Analizamos los efectos de la nanoestructura de las películas delgadas deAg sobre las propiedades electro-ópticas. Encontramos que la conductividad respecto al bulto puede ser menor a baja frecuencia, mientras que mayor en el rango óptico, debido a disipación de energía por la excitación de plasmones |
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