Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante

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En este trabajo se muestra que un modelo sencillo para la corriente de túnel a través del óxido de puerta en una estructura polySi-SiO₂-Si reproduce fielmente los transitorios de la corriente asociados al fenómeno de atrapamiento-desatrapamiento de carga en el aislante. El mismo se basa en una expre...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor
Lenguaje:Español
Publicado: 1996
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p163
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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