Estructura electrónica y transición metal-semiconductor en Cs₂Au₂Cl₆

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Se presentan resultados autoconsistentes de la estructura electrónica del Cs₂Au₂Cl₆ en función de la presión, obtenidos con el método full potential LMTO. A presión atmosférica el compuesto presenta un comportamiento semiconductor, mientras que en la fase de alta presión, obtenemos un comportamiento...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Rodrígues, Daniel Enrique, Sferco, Silvano Juan, Rodríguez, Carlos Osvaldo
Lenguaje:Español
Publicado: 1995
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p123
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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