Estructura electrónica y transición metal-semiconductor en Cs₂Au₂Cl₆

Se presentan resultados autoconsistentes de la estructura electrónica del Cs₂Au₂Cl₆ en función de la presión, obtenidos con el método full potential LMTO. A presión atmosférica el compuesto presenta un comportamiento semiconductor, mientras que en la fase de alta presión, obtenemos un comportamiento...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Rodrígues, Daniel Enrique, Sferco, Silvano Juan, Rodríguez, Carlos Osvaldo
Lenguaje:Español
Publicado: 1995
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p123
Aporte de:
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spelling todo:afa_v07_n01_p1232023-10-03T13:22:15Z Estructura electrónica y transición metal-semiconductor en Cs₂Au₂Cl₆ Rodrígues, Daniel Enrique Sferco, Silvano Juan Rodríguez, Carlos Osvaldo Se presentan resultados autoconsistentes de la estructura electrónica del Cs₂Au₂Cl₆ en función de la presión, obtenidos con el método full potential LMTO. A presión atmosférica el compuesto presenta un comportamiento semiconductor, mientras que en la fase de alta presión, obtenemos un comportamiento metálico, en un todo de acuerdo con la información experimental. A partir de un análisis detallado de los resultados a medida que varía la presión, se dan argumentos que permiten entender la transición semiconductor-metal observada, como una transición de Peierls Fil: Rodrígues, Daniel Enrique. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Sferco, Silvano Juan. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Rodríguez, Carlos Osvaldo. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires. Argentina 1995 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p123
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