Estructura electrónica y transición metal-semiconductor en Cs₂Au₂Cl₆
Se presentan resultados autoconsistentes de la estructura electrónica del Cs₂Au₂Cl₆ en función de la presión, obtenidos con el método full potential LMTO. A presión atmosférica el compuesto presenta un comportamiento semiconductor, mientras que en la fase de alta presión, obtenemos un comportamiento...
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| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1995
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p123 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se presentan resultados autoconsistentes de la estructura electrónica del Cs₂Au₂Cl₆ en función de la presión, obtenidos con el método full potential LMTO. A presión atmosférica el compuesto presenta un comportamiento semiconductor, mientras que en la fase de alta presión, obtenemos un comportamiento metálico, en un todo de acuerdo con la información experimental. A partir de un análisis detallado de los resultados a medida que varía la presión, se dan argumentos que permiten entender la transición semiconductor-metal observada, como una transición de Peierls |
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