Caracterización cristalográfica de la superficie GaAs(110) limpia y con hidrógeno adsorbido mediante TOF-ISS
Se utilizó la técnica de espectrometría de iones reflejados con detección por tiempo de vuelo (TOF- ISS) para caracterizar la superficie GaAs(110) limpia y con H adsorbido. A partir del análisis de los efectos de enfoque de las trayectorias de los iones en la superficie limpia se confirmó el modelo...
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| Autores principales: | Gayone, Julio Esteban, Pregliasco, Rodolfo Guillermo, Sánchez, Esteban Alejandro, Grizzi, Oscar |
|---|---|
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1995
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p077 |
| Aporte de: |
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