Caracterización cristalográfica de la superficie GaAs(110) limpia y con hidrógeno adsorbido mediante TOF-ISS

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Se utilizó la técnica de espectrometría de iones reflejados con detección por tiempo de vuelo (TOF- ISS) para caracterizar la superficie GaAs(110) limpia y con H adsorbido. A partir del análisis de los efectos de enfoque de las trayectorias de los iones en la superficie limpia se confirmó el modelo...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Gayone, Julio Esteban, Pregliasco, Rodolfo Guillermo, Sánchez, Esteban Alejandro, Grizzi, Oscar
Lenguaje:Español
Publicado: 1995
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p077
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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