Caracterización cristalográfica de la superficie GaAs(110) limpia y con hidrógeno adsorbido mediante TOF-ISS
Se utilizó la técnica de espectrometría de iones reflejados con detección por tiempo de vuelo (TOF- ISS) para caracterizar la superficie GaAs(110) limpia y con H adsorbido. A partir del análisis de los efectos de enfoque de las trayectorias de los iones en la superficie limpia se confirmó el modelo...
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| Autores principales: | , , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1995
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p077 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se utilizó la técnica de espectrometría de iones reflejados con detección por tiempo de vuelo (TOF- ISS) para caracterizar la superficie GaAs(110) limpia y con H adsorbido. A partir del análisis de los efectos de enfoque de las trayectorias de los iones en la superficie limpia se confirmó el modelo de relajación generalmente aceptado para esta superficie. Los ángulos críticos obtenidos experimentalmente se compararon con un cálculo de las regiones de sombra lográndose un muy buen acuerdo. A partir del estudio de los espectros de tiempo de vuelo en función de la dosis de H, se observó que el H adsorbido remueve la relajación superficial. Para una dosis de 2000L de H molecular se obtuvo que el ángulo de inclinación de las cadenas de As y Ga es ω⇒(0±2)° |
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