Aplicaciones de la microscopía de fuerza atómica al estudio de superficies utilizadas en experimentos de interacción de iones con la materia
Se utilizó el microscopio de fuerza atómica para estudiar la topografía de superficies conductoras, semiconductoras y aislantes empleadas en experimentos de interacción de iones con la materia. Se comprobó que los ciclos de recocido alternados con bombardeo rasante de Arᶧ a 20 keV producen superfici...
Guardado en:
| Autores principales: | , , , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1995
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p072 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se utilizó el microscopio de fuerza atómica para estudiar la topografía de superficies conductoras, semiconductoras y aislantes empleadas en experimentos de interacción de iones con la materia. Se comprobó que los ciclos de recocido alternados con bombardeo rasante de Arᶧ a 20 keV producen superficies de GaAs(110) y Al(111) más planas que la técnica convencional de preparación de muestras monocristalinas. Se comparan estos resultados con mediciones de dispersión de iones y de emisión de electrones Convoy por incidencia rasante de protones. Se midió también la rugosidad de láminas delgadas (≈130 Å) autosoportadas de Au empleadas en experimentos de frenamiento de iones en sólidos. Finalmente se muestran imágenes de daño producido por impacto de CIᶧ a 49 MeV en superficies de mica. |
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