Aplicaciones de la microscopía de fuerza atómica al estudio de superficies utilizadas en experimentos de interacción de iones con la materia
Se utilizó el microscopio de fuerza atómica para estudiar la topografía de superficies conductoras, semiconductoras y aislantes empleadas en experimentos de interacción de iones con la materia. Se comprobó que los ciclos de recocido alternados con bombardeo rasante de Arᶧ a 20 keV producen superfici...
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1995
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p072 |
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todo:afa_v07_n01_p0722023-10-03T13:22:11Z Aplicaciones de la microscopía de fuerza atómica al estudio de superficies utilizadas en experimentos de interacción de iones con la materia Sánchez, Esteban Alejandro Gómez, G. R. Gayone, Julio Esteban Pregliasco, Rodolfo Guillermo Grizzi, Oscar Se utilizó el microscopio de fuerza atómica para estudiar la topografía de superficies conductoras, semiconductoras y aislantes empleadas en experimentos de interacción de iones con la materia. Se comprobó que los ciclos de recocido alternados con bombardeo rasante de Arᶧ a 20 keV producen superficies de GaAs(110) y Al(111) más planas que la técnica convencional de preparación de muestras monocristalinas. Se comparan estos resultados con mediciones de dispersión de iones y de emisión de electrones Convoy por incidencia rasante de protones. Se midió también la rugosidad de láminas delgadas (≈130 Å) autosoportadas de Au empleadas en experimentos de frenamiento de iones en sólidos. Finalmente se muestran imágenes de daño producido por impacto de CIᶧ a 49 MeV en superficies de mica. We have used the atomic force microscope to study the topography of conductor, semiconductor and insulator surfaces used in experiments of ion-beam interaction with solids. We state that cycles of grazing 20 keV Arᶧ bombardment and anneling produce GaAs(110) and Al(111) surfaces smoother than those prepared by standard methods. We compare these results with measurements of Ion Scattering Spectrometry and Convoy electron emission induced by grazing proton bombardment. We have also measured the roughness of self-suporting Au samples (≈130 Å thikness) used in stopping power experiments. Finally, we show images of ion damage produced by 49 MeV CIᶧ on mica surfaces. Fil: Sánchez, Esteban Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Gómez, G. R.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Gayone, Julio Esteban. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Pregliasco, Rodolfo Guillermo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Grizzi, Oscar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina 1995 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p072 |
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Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) |
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Se utilizó el microscopio de fuerza atómica para estudiar la topografía de superficies conductoras, semiconductoras y aislantes empleadas en experimentos de interacción de iones con la materia. Se comprobó que los ciclos de recocido alternados con bombardeo rasante de Arᶧ a 20 keV producen superficies de GaAs(110) y Al(111) más planas que la técnica convencional de preparación de muestras monocristalinas. Se comparan estos resultados con mediciones de dispersión de iones y de emisión de electrones Convoy por incidencia rasante de protones. Se midió también la rugosidad de láminas delgadas (≈130 Å) autosoportadas de Au empleadas en experimentos de frenamiento de iones en sólidos. Finalmente se muestran imágenes de daño producido por impacto de CIᶧ a 49 MeV en superficies de mica. |
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