Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe

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Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO₂/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Meyer, G., Schujman, S.
Lenguaje:Español
Publicado: 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p457
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id todo:afa_v05_n01_p457
record_format dspace
spelling todo:afa_v05_n01_p4572023-10-03T13:21:27Z Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe Meyer, G. Schujman, S. Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO₂/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de la unión CdS/CdTe únicamente. Basado en el diagrama de bandas asociado a la celda, proponemos una explicación que considera la existencia de una capacidad asociada a la barrera que existe entre el absorbente y su contacto. Consecuentemente, la dependencia de la capacidad resultante con la polarización del dispositivo es un compromiso entre los comportamientos opuestos de las barreras CdS/CdTe y CdTe/grafito. Efectuamos ajustes de la característica C-V utilizando las densidades de portadores, el área de unión efectiva y el potencial de difusión de la unión CdTe/grafito como variables, repitiendo satisfactoriamente el comportamiento observado. El modelo presentado predice elevadas concentraciones de portadores en la cercanía a ambas interfases, siendo mayores en la de generación fotovoltaica. Fil: Meyer, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Schujman, S.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche (CNEA-CAB). Río Negro. Argentina 1993 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p457
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv Español
description Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO₂/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de la unión CdS/CdTe únicamente. Basado en el diagrama de bandas asociado a la celda, proponemos una explicación que considera la existencia de una capacidad asociada a la barrera que existe entre el absorbente y su contacto. Consecuentemente, la dependencia de la capacidad resultante con la polarización del dispositivo es un compromiso entre los comportamientos opuestos de las barreras CdS/CdTe y CdTe/grafito. Efectuamos ajustes de la característica C-V utilizando las densidades de portadores, el área de unión efectiva y el potencial de difusión de la unión CdTe/grafito como variables, repitiendo satisfactoriamente el comportamiento observado. El modelo presentado predice elevadas concentraciones de portadores en la cercanía a ambas interfases, siendo mayores en la de generación fotovoltaica.
author Meyer, G.
Schujman, S.
spellingShingle Meyer, G.
Schujman, S.
Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
author_facet Meyer, G.
Schujman, S.
author_sort Meyer, G.
title Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_short Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_full Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_fullStr Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_full_unstemmed Modelo para la explicación de características C-V anómalas en celdas de CdS/CdTe
title_sort modelo para la explicación de características c-v anómalas en celdas de cds/cdte
publishDate 1993
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p457
work_keys_str_mv AT meyerg modeloparalaexplicaciondecaracteristicascvanomalasenceldasdecdscdte
AT schujmans modeloparalaexplicaciondecaracteristicascvanomalasenceldasdecdscdte
_version_ 1807321642287759360

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