Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una ba...
Guardado en:
| Autor principal: | Meyer, G. |
|---|---|
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1993
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p452 |
| Aporte de: |
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