Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe

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La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una ba...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Meyer, G.
Lenguaje:Español
Publicado: 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p452
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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