Espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos ensanchados en CdTe
La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una ba...
Guardado en:
| Autor principal: | |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1993
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p452 |
| Aporte de: |
| Sumario: | La presencia de impurezas, defectos y/o tensiones es la responsable de la existencia de niveles profundos en el gap de los semiconductores. Cuando existe una elevada concentración de ellos, su interacción mutua puede producir el ensanchamiento de dichos niveles con la consecuente formación de una banda. Presentamos un estudio de mediciones de espectroscopía de transitorios de vaciado de niveles profundos (DLTS) en niveles engrosados en forma gaussiana, ubicados en el gap de CdTe. Las simulaciones de mediciones de DL TS predicen: transitorios no-exponenciales, corrimientos y deformaciones de los espectros de DL TS, valores de energías de activación menores que el centro de la banda y estimaciones de secciones eficaces de captura superiores a la dada. Ejemplificamos presentando el resultado de una medición real de una trampa generada por el dopado de CdTe con cloro |
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