Destilación de telurio de alta pureza

Mostrar todas las versiones(2)

Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) es el semiconductor más importante para la detección infrarroja especialmente para las longitudes de onda comprendidas entre 3-5 y 8-14 μm. Diversas tecnologías han permitido la obtención de fotodiodos de este material de muy alta performance. Se ha encarado la purificación de los e...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Heredia, E., Trigubó, A. B., Marrero, J., Cánepa, Horacio Ricardo
Lenguaje:Español
Publicado: 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p438
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id todo:afa_v05_n01_p438
record_format dspace
spelling todo:afa_v05_n01_p4382023-10-03T13:21:24Z Destilación de telurio de alta pureza Heredia, E. Trigubó, A. B. Marrero, J. Cánepa, Horacio Ricardo Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) es el semiconductor más importante para la detección infrarroja especialmente para las longitudes de onda comprendidas entre 3-5 y 8-14 μm. Diversas tecnologías han permitido la obtención de fotodiodos de este material de muy alta performance. Se ha encarado la purificación de los elementos de partida que constituyen este ternario (MCT), con el objeto de mejorar la calidad de los materiales crecidos en nuestro laboratorio, lo que producirá mejores características en futuros detectores. A pesar de que dichos elementos poseen ya un alto grado de pureza (6N; 99.9999 %, o sea una concentración total de impurezas del orden del ppm) en muchas aplicaciones no es suficiente (detectores fotoconductores, junturas abruptas). Existiendo en el PRINSO técnicas de purificación para el Cd y el Hg, se implementó también la destilación en vacío dinámico para aumentar el orden de pureza del Te. Las muestras fueron analizadas por espectrometría de masas observándose las mejoras introducidas por esta técnica Hg₁₋ₓCdₓTe(MCT) is the most important semiconductor for infrared detection, specially in the 3-5 and 8-14 μm wavelenght range. High performance MCT photodiodes have been obtained using different techniques. The detectivity of future detectors can be improved by the purification of the three constituent elements. The initial purity concentration is 6N (99.9999 %) and it is not enough for some semiconductor applications such as photoconductors. The method chosen to purify the tellurium samples was dynamic vacuum distillation to improve the commercial grade specifications of tellurium (Hg and Cd purification methods had been previously developed at PRINSO). Spark mass spectrographic analyses were used to control the quality of the distilled Te Fil: Heredia, E.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Trigubó, A. B.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Marrero, J.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Cánepa, Horacio Ricardo. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina 1993 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p438
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv Español
description Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) es el semiconductor más importante para la detección infrarroja especialmente para las longitudes de onda comprendidas entre 3-5 y 8-14 μm. Diversas tecnologías han permitido la obtención de fotodiodos de este material de muy alta performance. Se ha encarado la purificación de los elementos de partida que constituyen este ternario (MCT), con el objeto de mejorar la calidad de los materiales crecidos en nuestro laboratorio, lo que producirá mejores características en futuros detectores. A pesar de que dichos elementos poseen ya un alto grado de pureza (6N; 99.9999 %, o sea una concentración total de impurezas del orden del ppm) en muchas aplicaciones no es suficiente (detectores fotoconductores, junturas abruptas). Existiendo en el PRINSO técnicas de purificación para el Cd y el Hg, se implementó también la destilación en vacío dinámico para aumentar el orden de pureza del Te. Las muestras fueron analizadas por espectrometría de masas observándose las mejoras introducidas por esta técnica
author Heredia, E.
Trigubó, A. B.
Marrero, J.
Cánepa, Horacio Ricardo
spellingShingle Heredia, E.
Trigubó, A. B.
Marrero, J.
Cánepa, Horacio Ricardo
Destilación de telurio de alta pureza
author_facet Heredia, E.
Trigubó, A. B.
Marrero, J.
Cánepa, Horacio Ricardo
author_sort Heredia, E.
title Destilación de telurio de alta pureza
title_short Destilación de telurio de alta pureza
title_full Destilación de telurio de alta pureza
title_fullStr Destilación de telurio de alta pureza
title_full_unstemmed Destilación de telurio de alta pureza
title_sort destilación de telurio de alta pureza
publishDate 1993
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p438
work_keys_str_mv AT herediae destilaciondeteluriodealtapureza
AT triguboab destilaciondeteluriodealtapureza
AT marreroj destilaciondeteluriodealtapureza
AT canepahoracioricardo destilaciondeteluriodealtapureza
_version_ 1782029364804714496

Ejemplares similares