Segregación en el Hg₁₋ₓCdₓTe obtenido por el método de Bridgman
Se estudió la distribución de la composición longitudinal y radial en lingotes de Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) crecido por el método de Bridgman a diferentes velocidades y con distintos tratamientos térmicos, con el objeto de obtener las condiciones de crecimiento óptimas que determinen el mayor volumen del lin...
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1993
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p434 |
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todo:afa_v05_n01_p4342023-10-03T13:21:23Z Segregación en el Hg₁₋ₓCdₓTe obtenido por el método de Bridgman Trigubó, A. B. Cabezas, Marcelo Daniel Walsöe de Reca, N. E. Se estudió la distribución de la composición longitudinal y radial en lingotes de Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) crecido por el método de Bridgman a diferentes velocidades y con distintos tratamientos térmicos, con el objeto de obtener las condiciones de crecimiento óptimas que determinen el mayor volumen del lingote monocristalino con concentración próxima a x = 0,2. Esta composición corresponde al MCT empleable en detectores sensibles al rango de longitudes de onda entre 8 y 14 mm correspondiente a la segunda ventana atmosférica. En el ajuste de esas condiciones se tuvo en cuenta también la calidad cristalina, tamaño de subgrano y desorientación de los mismos, dado que la presencia de bordes de subgrano formado por dislocaciones alineadas altera, en general, las propiedades eléctricas de este material The axial and radial distribution of chemical composition was studied in Hg₁₋ₓCdₓTe (MCT) single crystalline lingots which were grown by the Bridgman method employing different growth rates and thermal annealings. The optimal growing conditions were chosen in order to obtain the largest single crystalline volume of ingots with a chemical composition x = 0,2, thus enabling the resulting MCT to be employed in infrared detectors for the second atmospheric window (8 - 14 mm). The evaluation of growing conditions took into account not only the composition but the crystalline quality, subgrain size and misorientation among subgrains separated by tilit limits of aligned dislocations, able to damage the electrical properties of the semiconductor Fil: Trigubó, A. B.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Cabezas, Marcelo Daniel. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Walsöe de Reca, N. E.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina 1993 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p434 |
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