Estructura electrónica de defecto profundo y vacancia neutra en silicio mediante un método de primeros principios

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Mediante la teoría de la funcional densidad, pseudopotenciales escalares relativistas conservadores de la norma, se han estudiado en un esquema autoconsistente, la estructura electrónica del defecto Cd en Silicio en sitio sustitucional así como la vacancia neutra en silicio Si:V°. Mediante el método...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Casali, Ricardo Antonio, Caravaca, M. A.
Lenguaje:Español
Publicado: 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p297
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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