Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃

Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO₂: Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb d...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Schujman, S. B., Saura, V.
Lenguaje:Español
Publicado: 1990
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p247
Aporte de:
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spelling todo:afa_v02_n01_p2472023-10-03T13:19:25Z Capas delgadas de SnO₂/Sb₂O₃ Schujman, S. B. Saura, V. Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO₂: Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb del orden del 20% M, las capas resultan ser amorfas con una alta resistividad eléctrica. Dado que en nuestras muestras ésto no se observa, realizamos un estudio sistemático de propiedades estructurales y de composición química para dopajes desde 0% hasta un 100% M de antimonio Fil: Schujman, S. B.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina Fil: Saura, V.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche. División Dispositivos Semiconductores(CNEA-CAB). Río Negro. Argentina 1990 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p247
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