| Sumario: | En este trabajo se determinan las propiedades electrónicas de películas delgadasde CdS en contacto con un electrolito acuoso, para lo cual se desarrolló la técnica de conductancia superficial in-situ y se demostró su aplicabilidad para el estudio de otraspelículas semiconductoras. Se desarrolló un modelo que describe la interfaz semiconductor policristalino /electrolito teniendo en cuenta explícitamente la presencia de barreras intergrano. Estemodelo describe la interfaz de las películas delgadas de CdS y fue aplicado para lainterpretación de los resultados experimentales. A partir de los datos de espectroscopía de impedancia electroquímica, transmitancia modulada y conductancia superficial, se determinó el potencial de bandaplana, la densidad de portadores libres, la altura de barreras intergranos y su dependencia con el potencial.
|
|---|