Depósito y caracterización de películas de ZnO:Al como capa antirreflectiva para su aplicación en celdas solares de silicio policristalino

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En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Mora, F., Buitrago, Román Horacio, Urteaga, Raúl, Juárez, Héctor, Díaz, Tomás
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2010
Materias:
OXIDO DE ZINC
ANTIRREFLECTANTE
TEXTURA
CRISTALIZACION
SILICIO POLICRISTALINO
ZINC OXIDE
ANTIREFLECTANCE
TEXTURE
CRYSTALLIZATION
POLLYCRYSTALLINE SILICON
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n01_p067
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id afa:afa_v22_n01_p067
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spelling afa:afa_v22_n01_p0672025-03-11T11:34:17Z Depósito y caracterización de películas de ZnO:Al como capa antirreflectiva para su aplicación en celdas solares de silicio policristalino Deposition and characterization of ZnO:Al films for application as antireflective in polycrytalline solar cells An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;01(22):67-71 Mora, F. Buitrago, Román Horacio Urteaga, Raúl Juárez, Héctor Díaz, Tomás OXIDO DE ZINC ANTIRREFLECTANTE TEXTURA CRISTALIZACION SILICIO POLICRISTALINO ZINC OXIDE ANTIREFLECTANCE TEXTURE CRYSTALLIZATION POLLYCRYSTALLINE SILICON En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares de película delgada de silicio policristalino. Se obtuvieron películas con resistencias de lámina de 13 Ω/cm2, transmitancias mayores al 80% en el visible y un factor de textura (Haze) del 14%. Se realizó un tratamiento térmico a 580 °C por 24 hs, para valorar la estabilidad térmica de sus propiedades, encontrando que las mismas no se modifican significativamente. Posteriormente se depositó sobre la capa de ZnO:Al una de a-Si:H por PECVD y se cristalizó por NIC para obtener p-Si. Resultados de DRX, muestran la estructura de p-Si con orientación preferencial en el plano (220). Finalmente se obtuvieron los espectros de reflectancia total para tres configuraciones, las propiedades como película antirreflectante del ZnO:Al no cambian significativamente acoplando a-Si:H o p-Si In this work we present results on the deposition of ZnO:Al films to be used as antireflective coating in solar cells. The films were deposited by RF Sputtering onto a glass substrate. To optimize the electro-optical properties of the films the substrate temperature, the pressure and the RF power were varied. The transmission and the haze factor were measured for the visible range. Resistances of the order of 13 Ω/cm2 and transmission higher than 80 % were obtained. To study the thermal stability of the ZnO films they were annealed at 580 °C during 24 hrs, its properties remain stable. Then on the top of the ZnO films a thin layer of a-Si:H was deposited by PECVD and crystallized following the NIC method, XRD analysis showed a polycrystalline film oriented in the (220) plane. Finally, the total reflectance was measured in three configurations, the antireflective properties of ZnO were similar for a-Si:H and p-Si. Fil: Mora, F.. Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (ICUAP-CIDS). Puebla. México Fil: Buitrago, Román Horacio. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina Fil: Urteaga, Raúl. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina Fil: Juárez, Héctor. Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (ICUAP-CIDS). Puebla. México Fil: Díaz, Tomás. Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (ICUAP-CIDS). Puebla. México Asociación Física Argentina 2010 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n01_p067
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