Conductividad efectiva en peliculas delgadas de silicio poroso nanoestructurado

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En este trabajo empleamos un método recientemente reportado1,2 para calcular la conductividad eléctrica efectiva de un sistema compuesto nanoestructurado en la aproximación de longitud de onda larga. Consideramos primero dos tipos simples de red períodica para representar la morfología de un sistema...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Ortiz, Guillermo Pablo, Valdez, L. A., López, Gastón Edgard, Mendoza, B. S., Mochán, W. L.
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2010
Materias:
SILICIO POROSO
CONDUCTIVIDAD
MEDIOS EFECTIVOS
PERCOLACION
NANOESTRUCTURAS
POROUS SILICON
CONDUCTIVITY
EFFECTIVE MEDIA
PERCOLATION
NANOSTRUCTURES
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n01_p052
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v22_n01_p0522025-03-11T11:34:16Z Conductividad efectiva en peliculas delgadas de silicio poroso nanoestructurado An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;01(22):52-55 Ortiz, Guillermo Pablo Valdez, L. A. López, Gastón Edgard Mendoza, B. S. Mochán, W. L. SILICIO POROSO CONDUCTIVIDAD MEDIOS EFECTIVOS PERCOLACION NANOESTRUCTURAS POROUS SILICON CONDUCTIVITY EFFECTIVE MEDIA PERCOLATION NANOSTRUCTURES En este trabajo empleamos un método recientemente reportado1,2 para calcular la conductividad eléctrica efectiva de un sistema compuesto nanoestructurado en la aproximación de longitud de onda larga. Consideramos primero dos tipos simples de red períodica para representar la morfología de un sistema compuesto por Silicio cristalino y Poros. Suponemos que los poros son columnares y el sistema tiene simetría de traslación en la dirección de los ejes de las columnas, por lo que pueden ser bien representados por un arreglo bidimensional de discos circulares. Encontramos que la conductividad tanto como las propiedades ópticas pueden ser controladas mediante la fracción de llenado de poros (porosidad) y el arreglo espacial de los mismos. Esto se debe a la transición de conductor a aislante del sistema cuando atraviesa por el punto de percolación de fases. El mismo resultado se verifica para el caso desordenado sin correlación entre las posiciones de los poros In this work we employ a recently reported method 1,2 for the effective electric conductivity calculation of nanostructured composites system assuming the long wavelength approximation. We consider first two type of simple lattice by morphologies representations of a crystalline Silicon and Porous composite system. We assume columnar porous and translation symmetry along columnaxes, then they are well represented by a bidimensional array of circular disk. We find that conductivity so as optical properties may be managed by controlling porous filling fraction (porosity) and porous spatial arrangement. This is due to transition from conductor to insulator like behavior when the system to go through phase percolation point. Same result is verified for disordered case without correlation of porous positions Fil: Ortiz, Guillermo Pablo. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas, Naturales y Agrimensura (UNNE-FACENA). Corrientes. Argentina Fil: Valdez, L. A.. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas, Naturales y Agrimensura (UNNE-FACENA). Corrientes. Argentina Fil: López, Gastón Edgard. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas, Naturales y Agrimensura (UNNE-FACENA). Corrientes. Argentina Fil: Mendoza, B. S.. Centro de Investigaciones en Optica. Guanajuato. México Fil: Mochán, W. L.. Universidad Nacional Autónoma de México. Instituto de Ciencias Físicas. Cuernavaca. México Asociación Física Argentina 2010 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n01_p052
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