Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado

Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Urteaga, Raúl, Marín, Oscar, Acquaroli, Leandro Nicolás, Comedi, David Mario, Schmidt, Javier Alejandro, Koropecki, Roberto Román
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2008
Materias:
SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
MICROCAVIDADES OPTICAS
FOTOCONDUCTIVIDAD
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
OPTICAL MICROCAVITIES
PHOTOCONDUCTIVITY
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p110
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id afa:afa_v20_n01_p110
record_format dspace
spelling afa:afa_v20_n01_p1102025-03-11T11:33:19Z Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado Enhanced photoconductivity and fine response tuning in nanostructured porous silicon microcavities An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2008;01(20):110-114 Urteaga, Raúl Marín, Oscar Acquaroli, Leandro Nicolás Comedi, David Mario Schmidt, Javier Alejandro Koropecki, Roberto Román SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO MICROCAVIDADES OPTICAS FOTOCONDUCTIVIDAD NANOSTRUCTURED POROUS SILICON OPTICAL MICROCAVITIES PHOTOCONDUCTIVITY Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparente de SnO₂ y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultado de la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrecho pico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se presentan los resultados de la dependencia angular de la energía del pico de fotoconducción, y se propone una explicación de la conductividad soportado por cálculos del campo electromagnético dentro de la microcavidad We used light confinement in optical microcavities to achieve a strong enhancement and a precise wavelength tunability of the electrical photoconductance of nanostructured porous silicon (PS). The devices were transferred to a glass coated with a transparent SnO₂ electrode, while an Al contact was evaporated on its back side. The electrical conductance was measured as a function of the photon energy. A strong enhancement of the conductance is obtained in a narrow band peaking at the resonance. We present experimental results of the angular dependence of this photoconductance peak energy, and propose an explanation of the conductivity behaviour supported by calculations of the internal electromagnetic field Fil: Urteaga, Raúl. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Marín, Oscar. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Comedi, David Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física (UNT-FACET). Tucumán. Argentina Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 2008 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p110
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
topic SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
MICROCAVIDADES OPTICAS
FOTOCONDUCTIVIDAD
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
OPTICAL MICROCAVITIES
PHOTOCONDUCTIVITY
spellingShingle SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
MICROCAVIDADES OPTICAS
FOTOCONDUCTIVIDAD
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
OPTICAL MICROCAVITIES
PHOTOCONDUCTIVITY
Urteaga, Raúl
Marín, Oscar
Acquaroli, Leandro Nicolás
Comedi, David Mario
Schmidt, Javier Alejandro
Koropecki, Roberto Román
Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
topic_facet SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
MICROCAVIDADES OPTICAS
FOTOCONDUCTIVIDAD
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
OPTICAL MICROCAVITIES
PHOTOCONDUCTIVITY
description Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparente de SnO₂ y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultado de la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrecho pico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se presentan los resultados de la dependencia angular de la energía del pico de fotoconducción, y se propone una explicación de la conductividad soportado por cálculos del campo electromagnético dentro de la microcavidad
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Urteaga, Raúl
Marín, Oscar
Acquaroli, Leandro Nicolás
Comedi, David Mario
Schmidt, Javier Alejandro
Koropecki, Roberto Román
author_facet Urteaga, Raúl
Marín, Oscar
Acquaroli, Leandro Nicolás
Comedi, David Mario
Schmidt, Javier Alejandro
Koropecki, Roberto Román
author_sort Urteaga, Raúl
title Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_short Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_full Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_fullStr Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_full_unstemmed Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_sort aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
publisher Asociación Física Argentina
publishDate 2008
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p110
work_keys_str_mv AT urteagaraul aumentodelafotoconductividadysintonizacionfinadelarespuestaenmicrocavidadesdesilicioporosonanoestructurado
AT marinoscar aumentodelafotoconductividadysintonizacionfinadelarespuestaenmicrocavidadesdesilicioporosonanoestructurado
AT acquarolileandronicolas aumentodelafotoconductividadysintonizacionfinadelarespuestaenmicrocavidadesdesilicioporosonanoestructurado
AT comedidavidmario aumentodelafotoconductividadysintonizacionfinadelarespuestaenmicrocavidadesdesilicioporosonanoestructurado
AT schmidtjavieralejandro aumentodelafotoconductividadysintonizacionfinadelarespuestaenmicrocavidadesdesilicioporosonanoestructurado
AT koropeckirobertoroman aumentodelafotoconductividadysintonizacionfinadelarespuestaenmicrocavidadesdesilicioporosonanoestructurado
AT urteagaraul enhancedphotoconductivityandfineresponsetuninginnanostructuredporoussiliconmicrocavities
AT marinoscar enhancedphotoconductivityandfineresponsetuninginnanostructuredporoussiliconmicrocavities
AT acquarolileandronicolas enhancedphotoconductivityandfineresponsetuninginnanostructuredporoussiliconmicrocavities
AT comedidavidmario enhancedphotoconductivityandfineresponsetuninginnanostructuredporoussiliconmicrocavities
AT schmidtjavieralejandro enhancedphotoconductivityandfineresponsetuninginnanostructuredporoussiliconmicrocavities
AT koropeckirobertoroman enhancedphotoconductivityandfineresponsetuninginnanostructuredporoussiliconmicrocavities
_version_ 1831981055347785728

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