Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado : influencia de la iluminación durante la preparación

En este trabajo se muestra que el nivel de iluminación utilizado durante la preparación de silicio poroso es un factor clave que determina la posterior evolución fotoinducida de la luminiscencia. La evolución post-preparación es el resultado de la combinación de, al menos, dos efectos. Uno de ellos...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Spies, Cecilia Andrea, Koropecki, Roberto Román, Gennaro, Ana María, Arce, Roberto Delio, Schmidt, Javier Alejandro
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2005
Materias:
SILICIO POROSO
LUMINISCENCIA
CONFINAMIENTO CUANTICO
ESTADO DE DEFECTO
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
QUANTUM CONFINEMENT
DEFECT STATE
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v17_n01_p182
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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