Intercambio por reacción en fase sólida de impurezas Hf en sitios de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃

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En este trabajo estudiamos el intercambio de impurezas donoras Hf en sitios sustitucionales de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃. El proceso de dopaje se realizó por reacción en fase sólida, asistida por molido mecánico, de m-HfO₂ (activado por irradiación neutrónica) y de C-Tm₂O₃. Atomo...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Darriba, Germán Nicolás, Errico, Leonardo Antonio, Rentería, Mario
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2002
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p218
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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