Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo

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Hemos calculado la estructura electrónica con la formulación de la funcional densidad, del semiconductor PbS. A partir de ella, calculamos la variación en frecuencia de las funciones dieléctricas en el espectro comprendido entre 0 y 5 eV. Los picos obtenidos, así como la forma general de las curvas...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Albanesi, Eduardo Aldo, Repetto, Germán H., Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo, Dominguez, Fabián
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2002
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p119
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id afa:afa_v14_n01_p119
record_format dspace
spelling afa:afa_v14_n01_p1192025-03-11T11:31:14Z Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):119-122 Albanesi, Eduardo Aldo Repetto, Germán H. Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo Dominguez, Fabián Hemos calculado la estructura electrónica con la formulación de la funcional densidad, del semiconductor PbS. A partir de ella, calculamos la variación en frecuencia de las funciones dieléctricas en el espectro comprendido entre 0 y 5 eV. Los picos obtenidos, así como la forma general de las curvas correspondientes a las partes real ɛ₁ εe imaginaria ɛ₂, resultan muy bien caracterizados y entendidos en base a los diagramas de bandas y densidades de estados calculados. El espectro dispersivo tiene su punto de inflexión en razonable acuerdo con la energía a la cual la absorción alcanza su máximo y comienza a disminuir, correspondiendo a un comportamiento metálico en el rango de las energías mayores a 3 eV. También presentamos resultados de la reflectividad de este material We have performed a calculation of the electronic structure within the density functional formalism, of the semiconductor PbS. From it, the dependence in frecuency of the dielectric functions in the range between 0 and 5 eV, is calculated. The peaks, as well as the general shape of the curves corresponding to the real part ɛ₁ and imaginary part ɛ₂, are very well described and understandable in terms of the calculated bands and density of states. The dispersive spectrum has its point of inflexion in reazonably agreement with the energy where the absorption is maximum, and starts decreasing in a metalic like behavior, for energies higher than 3 eV. Also we present results on the reflectivity of this material Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Repetto, Germán H.. Universidad Nacional de Entre Ríos. Facultad de Ingeniería (UNER-FI). Entre Ríos. Argentina. Santa Fe. Argentina Fil: Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires Argentina Fil: Dominguez, Fabián. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires Argentina Asociación Física Argentina 2002 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p119
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
description Hemos calculado la estructura electrónica con la formulación de la funcional densidad, del semiconductor PbS. A partir de ella, calculamos la variación en frecuencia de las funciones dieléctricas en el espectro comprendido entre 0 y 5 eV. Los picos obtenidos, así como la forma general de las curvas correspondientes a las partes real ɛ₁ εe imaginaria ɛ₂, resultan muy bien caracterizados y entendidos en base a los diagramas de bandas y densidades de estados calculados. El espectro dispersivo tiene su punto de inflexión en razonable acuerdo con la energía a la cual la absorción alcanza su máximo y comienza a disminuir, correspondiendo a un comportamiento metálico en el rango de las energías mayores a 3 eV. También presentamos resultados de la reflectividad de este material
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Albanesi, Eduardo Aldo
Repetto, Germán H.
Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Dominguez, Fabián
spellingShingle Albanesi, Eduardo Aldo
Repetto, Germán H.
Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Dominguez, Fabián
Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
author_facet Albanesi, Eduardo Aldo
Repetto, Germán H.
Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Dominguez, Fabián
author_sort Albanesi, Eduardo Aldo
title Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_short Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_full Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_fullStr Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_full_unstemmed Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_sort estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
publisher Asociación Física Argentina
publishDate 2002
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p119
work_keys_str_mv AT albanesieduardoaldo estudiodelasfuncionesdielectricasdelsemiconductorsulfurodeplomo
AT repettogermanh estudiodelasfuncionesdielectricasdelsemiconductorsulfurodeplomo
AT peltzeryblancaeitelleopoldo estudiodelasfuncionesdielectricasdelsemiconductorsulfurodeplomo
AT dominguezfabian estudiodelasfuncionesdielectricasdelsemiconductorsulfurodeplomo
_version_ 1831980799031771136

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