Estudio de las relajaciones alrededor de impurezas sustitucionales en semiconductores mediante el modelo anarmónico de Keating

Se presenta un estudio de las propiedades estáticas y dinámicas del Si semiconductor de estructura diamante cuando se dopa con impurezas sustitucionales del grupo IV. Se emplea para tal fin clusters de 71 a 281 átomos interactuando mediante constantes de fuerza de dos y tres cuerpos definidas en el...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Casali, Ricardo Antonio, Mroginski, María Andrea
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1997
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v09_n01_p156
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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