Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino

Se realizaron numerosas experiencias de elaboración de la juntura n⁺p sobre obleas de silicio monocristalino tipo p, mediante la difusión de fósforo en horno a alta temperatura a partir de una fuente líquida de POCl₃. La técnica utilizada consta de dos pasos: una predeposición a aproximadamente 850...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Martínez Bogado, M. G., Tamasi, Mariana Julia Luisa, De Cicco, Hernán, Bolzi, Claudio Gustavo, Plá, Juan Carlos, Venier, Guillermo Luis, Bruno, Cristian Jorge, Godfrin, Elena María, Durán, Julio César
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1994
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p394
Aporte de:
id afa:afa_v06_n01_p394
record_format dspace
spelling afa:afa_v06_n01_p3942025-03-11T11:27:14Z Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1994;01(06):394-397 Martínez Bogado, M. G. Tamasi, Mariana Julia Luisa De Cicco, Hernán Bolzi, Claudio Gustavo Plá, Juan Carlos Venier, Guillermo Luis Bruno, Cristian Jorge Godfrin, Elena María Durán, Julio César Se realizaron numerosas experiencias de elaboración de la juntura n⁺p sobre obleas de silicio monocristalino tipo p, mediante la difusión de fósforo en horno a alta temperatura a partir de una fuente líquida de POCl₃. La técnica utilizada consta de dos pasos: una predeposición a aproximadamente 850 C, con burbujeo de N₂ seco a través de dicha fuente, seguida de una redistribución (“drive-in") posterior a 1050 C. La caracterización de las obleas difundidas se realizó mediante la medición de la resistencia de capa del emisor n⁺, utilizando la técnica de cuatro puntas. En algunas muestras, se determinó el perfil de concentración de fósforo mediante una técnica basada en la oxidación anódica de la superficie. Se presentan los valores de resistencia de capa obtenidos en función del tiempo de burbujeo a través de la fuente líquida y se analiza la repetibilidad del proceso utilizado Several experiences of building up n⁺p junctions were carried out on p-type monocrystalline silicon wafers, by means of diffusion of phosphorous in a high temperature furnace, from a POCl₃ liquid source. The technique used involves two steps: a predeposition at about 850 C, with dry N₂ bubbling through that source, followed by a drive-in at 1050 C. The diffused wafers were characterized by measuring their n⁺ emitter sheet resistance, using the four point probe technique. In some wafers, the concentration profile of P was determined through a technique based on anodic oxidation of the surface. Values of sheet resistance for several bubbling times are shown, and the repetitiveness of the process is discussed Fil: Martínez Bogado, M. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Tamasi, Mariana Julia Luisa. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: De Cicco, Hernán. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Bolzi, Claudio Gustavo. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Plá, Juan Carlos. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Venier, Guillermo Luis. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Bruno, Cristian Jorge. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Godfrin, Elena María. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Durán, Julio César. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Asociación Física Argentina 1994 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p394
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
description Se realizaron numerosas experiencias de elaboración de la juntura n⁺p sobre obleas de silicio monocristalino tipo p, mediante la difusión de fósforo en horno a alta temperatura a partir de una fuente líquida de POCl₃. La técnica utilizada consta de dos pasos: una predeposición a aproximadamente 850 C, con burbujeo de N₂ seco a través de dicha fuente, seguida de una redistribución (“drive-in") posterior a 1050 C. La caracterización de las obleas difundidas se realizó mediante la medición de la resistencia de capa del emisor n⁺, utilizando la técnica de cuatro puntas. En algunas muestras, se determinó el perfil de concentración de fósforo mediante una técnica basada en la oxidación anódica de la superficie. Se presentan los valores de resistencia de capa obtenidos en función del tiempo de burbujeo a través de la fuente líquida y se analiza la repetibilidad del proceso utilizado
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Martínez Bogado, M. G.
Tamasi, Mariana Julia Luisa
De Cicco, Hernán
Bolzi, Claudio Gustavo
Plá, Juan Carlos
Venier, Guillermo Luis
Bruno, Cristian Jorge
Godfrin, Elena María
Durán, Julio César
spellingShingle Martínez Bogado, M. G.
Tamasi, Mariana Julia Luisa
De Cicco, Hernán
Bolzi, Claudio Gustavo
Plá, Juan Carlos
Venier, Guillermo Luis
Bruno, Cristian Jorge
Godfrin, Elena María
Durán, Julio César
Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino
author_facet Martínez Bogado, M. G.
Tamasi, Mariana Julia Luisa
De Cicco, Hernán
Bolzi, Claudio Gustavo
Plá, Juan Carlos
Venier, Guillermo Luis
Bruno, Cristian Jorge
Godfrin, Elena María
Durán, Julio César
author_sort Martínez Bogado, M. G.
title Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino
title_short Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino
title_full Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino
title_fullStr Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino
title_full_unstemmed Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino
title_sort elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino
publisher Asociación Física Argentina
publishDate 1994
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p394
work_keys_str_mv AT martinezbogadomg elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
AT tamasimarianajulialuisa elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
AT deciccohernan elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
AT bolziclaudiogustavo elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
AT plajuancarlos elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
AT venierguillermoluis elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
AT brunocristianjorge elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
AT godfrinelenamaria elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
AT duranjuliocesar elaboracionycaracterizaciondejunturasparaceldassolaresdesiliciocristalino
_version_ 1831980660066091008