Estudio del crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopía de electrones Auger y análisis de componentes principales

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Hemos estudiado el crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopía de electrones Auger (EEA) y análisis de componentes principales (ACP). El ACP revela la existencia de 3 componentes independientes. Los espectros correspondientes a las dos primeras bases tienen la misma forma, desplazados una...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Passeggi, Mario César Guillermo, Vidal, R. A., Ferrón, Julio
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1994
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p249
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v06_n01_p2492023-11-07T11:00:37Z Estudio del crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopía de electrones Auger y análisis de componentes principales An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1994;01(06):249-252 Passeggi, Mario César Guillermo Vidal, R. A. Ferrón, Julio Hemos estudiado el crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopía de electrones Auger (EEA) y análisis de componentes principales (ACP). El ACP revela la existencia de 3 componentes independientes. Los espectros correspondientes a las dos primeras bases tienen la misma forma, desplazados una respecto de la otra 0.6 eV. Este no es compatible con un corrimiento continuo sino con la existencia de un desdoblamiento de la señal de K en dos componentes, este desdoblamiento sugiere la existencia de sitios de adsorción inequivalentes en el GaAs o bien un efecto importante de la interacción K-K en la formación de agregados atómicos. La tercer componente que aparece desde el comienzo de la evaporación revela que la interfase es reactiva We have studied the growth of K on GaAs(110) using Auger electron spectroscopy (AES) and principal component analysis (PCA). The PCA gives three independent components. The first and the second components have the same shape, but the second one is shifted about 0.6 eV to larger energies. This means a splitting of the K signal in two components, and suggests the existence of either different adsorption sites on the GaAs(110) or an important K-K interac-tion in the formation of alkali complexes at the surface. The third component is present from the beginning of the evaporation and points out that the K/GaAs(110) interface is reactive Fil: Passeggi, Mario César Guillermo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Vidal, R. A.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Ferrón, Julio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 1994 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p249
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