Interdifusión en películas de HG₁₋ₓCdₓTe sobre Cd Te
Se crecen películas de HG₁₋ₓCdₓTe (MCT) con x=0,2 por la técnica de VPE (epitaxia en fase vapor) sobre CdTe orientado (111)Te, (111)Cd, (110) y (110), en un rango de temperaturas (593± 1)°C<T<(615±1)°C con una sobre-presión de HG de 1,9atm. Los "Films" se caracterizaron estructural y...
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Asociación Física Argentina
1992
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afa:afa_v04_n01_p2702023-11-07T10:59:38Z Interdifusión en películas de HG₁₋ₓCdₓTe sobre Cd Te An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1992;01(04):270-273 Trigubo, Alicia B. Walsoe de Reca, N. E. Se crecen películas de HG₁₋ₓCdₓTe (MCT) con x=0,2 por la técnica de VPE (epitaxia en fase vapor) sobre CdTe orientado (111)Te, (111)Cd, (110) y (110), en un rango de temperaturas (593± 1)°C<T<(615±1)°C con una sobre-presión de HG de 1,9atm. Los "Films" se caracterizaron estructural y eléctricamente. Los perfiles de difusión (concentración) fueron analizados con microsonda electrónica y la distribución de dislocaciones fue estudiada sobre planos de clivaje {110}. Los coeficientes de interdifusión fueron medidos con dos métodos diferentes. Se estudió la distribución de los agujeros hallados en la interfase de algunos crecimientos y se discuten las causas de su aparición Fil: Trigubo, Alicia B.. Centro de Investigaciones en Sólidos (PRINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Walsoe de Reca, N. E.. Centro de Investigaciones en Sólidos (PRINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Asociación Física Argentina 1992 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p270 |
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