Túnel en estructuras aluminio-dióxido de silicio-silicio

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En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Å a 70 Å sobre un extendido rango de corriente 10ˉ⁹ < J < 1 Amp/cm², y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus ca...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Faigón, Adrián Néstor, Campabadal, Francesca, Miranda, Enrique Alfredo, Redin, Eduardo Gabriel
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1992
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p263
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v04_n01_p2632025-12-11T16:52:29Z Túnel en estructuras aluminio-dióxido de silicio-silicio An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1992;01(04):263-266 Faigón, Adrián Néstor Campabadal, Francesca Miranda, Enrique Alfredo Redin, Eduardo Gabriel En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Å a 70 Å sobre un extendido rango de corriente 10ˉ⁹ < J < 1 Amp/cm², y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus características salientes son el uso de una relación de dispersión k (E) = k₀ constante en la banda prohibida del aislante, y la inclusión de un factor que atenúa la probabilidad de túnel en forma exponencial con la energía medida desde la banda de conducción del aislante. La derivada dlogJ/dV muestra ser una poderosa herramienta para discriminar entre distintos modelos Fil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina Fil: Campabadal, Francesca. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina Fil: Miranda, Enrique Alfredo. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina Asociación Física Argentina 1992 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p263
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