Rol de los estados superficiales en la formación de la barrera de Schottky
Estudiamos la influencia de los estados superficiales inducidos por quimisorción (EIQ) sobre la posición del nivel de Fermi Ef, en la banda prohibida durante la formación de la interfaz metal-semiconductor. Se distinguen dos etapas en la evolución del mismo: 1) evolución rápida, determinada por los...
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Asociación Física Argentina
1991
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afa:afa_v03_n01_p0792023-11-07T10:58:49Z Rol de los estados superficiales en la formación de la barrera de Schottky An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1991;01(03):79-82 Mirabella, D. Deza, Roberto Raúl Aldao, C. M. Estudiamos la influencia de los estados superficiales inducidos por quimisorción (EIQ) sobre la posición del nivel de Fermi Ef, en la banda prohibida durante la formación de la interfaz metal-semiconductor. Se distinguen dos etapas en la evolución del mismo: 1) evolución rápida, determinada por los EIQ que desplazan Ef, hacia el centro de la brecha para cubrimientos θ < 0,01 monocapas; 2) evolución lenta (etapa final), determinada por la interacción dipolar que desplaza Ef, nuevamente hacia las bandas hasta alcanzar su posición final una vez ocurrida la metalización Fil: Mirabella, D.. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UNMdP-FCEyN). Buenos Aires. Argentina Fil: Deza, Roberto Raúl. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UNMdP-FCEyN). Buenos Aires. Argentina Fil: Aldao, C. M.. Universidad Nacional de Mar del Plata - CONICET. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales (INTEMA). Buenos Aires. Argentina Asociación Física Argentina 1991 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v03_n01_p079 |
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Estudiamos la influencia de los estados superficiales inducidos por quimisorción (EIQ) sobre la posición del nivel de Fermi Ef, en la banda prohibida durante la formación de la interfaz metal-semiconductor. Se distinguen dos etapas en la evolución del mismo: 1) evolución rápida, determinada por los EIQ que desplazan Ef, hacia el centro de la brecha para cubrimientos θ < 0,01 monocapas; 2) evolución lenta (etapa final), determinada por la interacción dipolar que desplaza Ef, nuevamente hacia las bandas hasta alcanzar su posición final una vez ocurrida la metalización |
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