Propiedades dieléctricas de volúmen en interfaces de semiconductores dentro de un esquema de ligadura fuerte

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Como una extensión de un trabajo previo, se utiliza una aproximación de ligadura fuerte para analizar el comportamiento dieléctrico de volúmen e interfaces de semiconductores. En esta oportunidad, se incluyen cálculos con parámetros que tienen en cuenta interacciones hasta segundos vecinos y se prop...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Elvira, V. D., Durán, Julio César
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1990
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p242
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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