Constante dieléctrica de óxidos de semiconductores tipo III-V

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Se presentan cálculos de la constante dieléctrica de óxidos de semiconductores cuya coordinación local es del mismo tipo que el SiO₂ (a - quartz). Se analizan dos modelos: el molecular y el dieléctrico de Philips y Van Vechten. Se concluye que este último permite explicar razonablemente los valores...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Sferco, Silvano Juan, Lannoo, Michel, Elhaidouri, A.
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1989
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p302
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v01_n01_p3022025-07-30T16:08:18Z Constante dieléctrica de óxidos de semiconductores tipo III-V An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):302-304 Sferco, Silvano Juan Lannoo, Michel Elhaidouri, A. Se presentan cálculos de la constante dieléctrica de óxidos de semiconductores cuya coordinación local es del mismo tipo que el SiO₂ (a - quartz). Se analizan dos modelos: el molecular y el dieléctrico de Philips y Van Vechten. Se concluye que este último permite explicar razonablemente los valores experimentales de ε ͚ medidos para estos sistemas. Se analizan los posibles efectos no incluídos en el modelo molecular (campo local, por ejemplo) responsables del mal acuerdo de este modelo con los resultados experimentales Fil: Sferco, Silvano Juan. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina Fil: Lannoo, Michel. Institute of Electronics, Microelectronics, and Nanotechnology (IEMN) ISEN. Lille Cedex. Francia Fil: Elhaidouri, A.. Laboratoire de Physicochimie des Matériaux. Montpellier. Francia Asociación Física Argentina 1989 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p302
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