Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor

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Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pu...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Cánepa, Horacio Ricardo, Heredia, E., Nöllmann, I.
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 1989
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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