id I71-R177-UNGS-2254
record_format dspace
institution Universidad Nacional de General Sarmiento
institution_str I-71
repository_str R-177
collection Repositorio Institucional Digital de Acceso Abierto (UNGS)
language Español
orig_language_str_mv spa
topic Silicio
Nanoestructura
Dinamica Molecular
Potencial Tight Binding
Potencial Tersoff-Brenner
Analisis de Eficiencia
Conductividad Termica
Silicon
Nanostructure
Molecular Dynamics
Tight Binding Potential
Tersoff-Brenner Potential
Efficiency Analysis
Thermal Conductivity
Silício
Nanoestrutura
Dinâmica molecular
Potencial de ligação forte
Potencial de Tersoff-Brenner
Análise de eficiência
Condutividade térmica
Nanotecnología
Física de los Materiales Condensados
Ciencias Físicas
spellingShingle Silicio
Nanoestructura
Dinamica Molecular
Potencial Tight Binding
Potencial Tersoff-Brenner
Analisis de Eficiencia
Conductividad Termica
Silicon
Nanostructure
Molecular Dynamics
Tight Binding Potential
Tersoff-Brenner Potential
Efficiency Analysis
Thermal Conductivity
Silício
Nanoestrutura
Dinâmica molecular
Potencial de ligação forte
Potencial de Tersoff-Brenner
Análise de eficiência
Condutividade térmica
Nanotecnología
Física de los Materiales Condensados
Ciencias Físicas
Mancardo Viotti, Agustin Matias
Bea, Edgar Alejandro
Carusela, María Florencia
Monastra, Alejandro Gabriel
Soba, Alejandro
Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio
topic_facet Silicio
Nanoestructura
Dinamica Molecular
Potencial Tight Binding
Potencial Tersoff-Brenner
Analisis de Eficiencia
Conductividad Termica
Silicon
Nanostructure
Molecular Dynamics
Tight Binding Potential
Tersoff-Brenner Potential
Efficiency Analysis
Thermal Conductivity
Silício
Nanoestrutura
Dinâmica molecular
Potencial de ligação forte
Potencial de Tersoff-Brenner
Análise de eficiência
Condutividade térmica
Nanotecnología
Física de los Materiales Condensados
Ciencias Físicas
description Revista con referato
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Mancardo Viotti, Agustin Matias
Bea, Edgar Alejandro
Carusela, María Florencia
Monastra, Alejandro Gabriel
Soba, Alejandro
author_facet Mancardo Viotti, Agustin Matias
Bea, Edgar Alejandro
Carusela, María Florencia
Monastra, Alejandro Gabriel
Soba, Alejandro
author_sort Mancardo Viotti, Agustin Matias
title Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio
title_short Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio
title_full Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio
title_fullStr Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio
title_full_unstemmed Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio
title_sort simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio
publisher Asociación Argentina de Mecánica Computacional
publishDate 2025
url http://repositorio.ungs.edu.ar:8080/xmlui/handle/UNGS/2254
work_keys_str_mv AT mancardoviottiagustinmatias simulaciondeltransportedecalorennanoestructurasdesilicio
AT beaedgaralejandro simulaciondeltransportedecalorennanoestructurasdesilicio
AT caruselamariaflorencia simulaciondeltransportedecalorennanoestructurasdesilicio
AT monastraalejandrogabriel simulaciondeltransportedecalorennanoestructurasdesilicio
AT sobaalejandro simulaciondeltransportedecalorennanoestructurasdesilicio
_version_ 1842217812838318080
spelling I71-R177-UNGS-22542025-06-19T15:15:52Z Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio Mancardo Viotti, Agustin Matias Bea, Edgar Alejandro Carusela, María Florencia Monastra, Alejandro Gabriel Soba, Alejandro Silicio Nanoestructura Dinamica Molecular Potencial Tight Binding Potencial Tersoff-Brenner Analisis de Eficiencia Conductividad Termica Silicon Nanostructure Molecular Dynamics Tight Binding Potential Tersoff-Brenner Potential Efficiency Analysis Thermal Conductivity Silício Nanoestrutura Dinâmica molecular Potencial de ligação forte Potencial de Tersoff-Brenner Análise de eficiência Condutividade térmica Nanotecnología Física de los Materiales Condensados Ciencias Físicas Revista con referato Fil: Carusela, María Florencia. Universidad Nacional de General Sarmiento. Instituto de Ciencias; Argentina. Fil: Carusela, María Florencia. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Fil: Mancardo Viotti, Agustin Matias. Universidad Nacional de General Sarmiento. Instituto de Ciencias; Argentina. Fil: Bea, Edgar Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Fil: Monastra, Alejandro Gabriel. Universidad Nacional de General Sarmiento. Instituto de Ciencias; Argentina. Fil: Soba, Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. En este trabajo se calcula la conductividad térmica de una nanoestructura de silicio sometida a un gradiente térmico, en una situación de no-equilibrio termodinámico. El sistema se simula a través de dinámica molecular, utilizando dos modelos para los potenciales interatómicos: i) un potencial clásico empírico Tersoff-Brenner; ii) un potencial Tight-Binding semi-empírico. Para el primer caso se recurre al software libre LAMMPS y para el segundo se desarrolla un código. En este caso se analiza en detalle la eficiencia de distintas rutinas para la diagonalización de matrices, necesaria para calcular las fuerzas interatómicas, así como la utilización de diferentes modos de paralelización. Se presenta un detallado estudio de la eficiencia del código desarrollado. We calculate the thermal conductivity of a Silicon nanostructure subject to a temperature gradient, in a non equilibrium thermodynamical state. We simulate the system by molecular dynamics using two models for the interatomic potentials: i) an empirical classical Tersoff-Brenner potential; ii) a semiempirical Tight-Binding potential. For the first case we use the free software LAMMPS and for the second we develop a code. In this last case we analyze the performance of the different routines used for diagonalizing matrices, necessary to compute the interatomic forces and we discuss the different parallelization implementations. We present a detailed study of the efficiency of the implemented code. Calculamos a condutividade térmica de uma nanoestrutura de silício sujeita a um gradiente de temperatura, em um estado termodinâmico fora do equilíbrio. Simulamos o sistema por dinâmica molecular usando dois modelos para os potenciais interatômicos: i) um potencial clássico empírico de Tersoff-Brenner; ii) um potencial semiempírico de ligação estreita. Para o primeiro caso, utilizamos o software livre LAMMPS e, para o segundo, desenvolvemos um código. Neste último caso, analisamos o desempenho das diferentes rotinas utilizadas para a diagonalização de matrizes, necessárias para calcular as forças interatômicas, e discutimos as diferentes implementações de paralelização. Apresentamos um estudo detalhado da eficiência do código implementado. 2025-06-19T15:15:52Z 2025-06-19T15:15:52Z 2018 info:eu-repo/semantics/article info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/publishedVersion Mancardo Viotti, A. M., Bea, E. A., Carusela, M. F., Monastra, A. G. y Soba, A. (2018). Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio. Mecánica Computacional, 36(47), 2179-2187. 0927-7951 http://repositorio.ungs.edu.ar:8080/xmlui/handle/UNGS/2254 spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ application/pdf application/pdf Asociación Argentina de Mecánica Computacional Mecánica Computacional. Dic. 2018; 36(47): 2179-2187 https://cimec.org.ar/ojs/index.php/mc/issue/view/979