Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 y ZnO

Mostrar todas las versiones(2)

Las nanoestructuras de semiconductores como el TiO2 y el ZnO han demostrado ser capaces de mediar la oxidación fotocatalítica de contaminantes orgánicos para su eliminación del agua. Por eso es interesante la descripción correcta de sus propiedades electrónicas. La Teoría de la Funcional Densidad...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Rossi Fernández, Ana C., Schvval, Ana Belén, Jiménez, María Julia, Cabeza, Gabriela F., Morgade, Cecilia Inés Nora
Formato: Documento de conferencia publisherVersion
Lenguaje:Español
Publicado: 2022
Materias:
Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/20.500.12272/6758
Aporte de:
RIA - Repositorio Institucional Abierto (UTN) de Universidad Tecnológica Nacional
id I68-R174-20.500.12272-6758
record_format dspace
institution Universidad Tecnológica Nacional
institution_str I-68
repository_str R-174
collection RIA - Repositorio Institucional Abierto (UTN)
language Español
topic Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
spellingShingle Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
Rossi Fernández, Ana C.
Schvval, Ana Belén
Jiménez, María Julia
Cabeza, Gabriela F.
Morgade, Cecilia Inés Nora
Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 y ZnO
topic_facet Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
description Las nanoestructuras de semiconductores como el TiO2 y el ZnO han demostrado ser capaces de mediar la oxidación fotocatalítica de contaminantes orgánicos para su eliminación del agua. Por eso es interesante la descripción correcta de sus propiedades electrónicas. La Teoría de la Funcional Densidad (DFT)1) suele subestimar el ancho de banda prohibida (BG) de estos óxidos. Entonces para resolver los errores de autointeracción para materiales de electrones fuertemente correlacionados se utiliza el método conocido como DFT + U2). Este método impone un coeficiente U, de Hubbard, de funcional tipo Coulomb para la representación correcta de los orbitales d de metales de transición como el Ti y el Zn. En el presente trabajo se pudo comprobar como el factor U utilizado afecta a los parámetros de red y esta variación se produce en sentido opuesto para dichos óxidos.
format Documento de conferencia
publisherVersion
author Rossi Fernández, Ana C.
Schvval, Ana Belén
Jiménez, María Julia
Cabeza, Gabriela F.
Morgade, Cecilia Inés Nora
author_facet Rossi Fernández, Ana C.
Schvval, Ana Belén
Jiménez, María Julia
Cabeza, Gabriela F.
Morgade, Cecilia Inés Nora
author_sort Rossi Fernández, Ana C.
title Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 y ZnO
title_short Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 y ZnO
title_full Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 y ZnO
title_fullStr Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 y ZnO
title_full_unstemmed Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 y ZnO
title_sort estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente u de hubbard en los semiconductores tio2 y zno
publishDate 2022
url http://hdl.handle.net/20.500.12272/6758
work_keys_str_mv AT rossifernandezanac estudioteoricocomparativodelefectodelcoeficienteudehubbardenlossemiconductorestio2yzno
AT schvvalanabelen estudioteoricocomparativodelefectodelcoeficienteudehubbardenlossemiconductorestio2yzno
AT jimenezmariajulia estudioteoricocomparativodelefectodelcoeficienteudehubbardenlossemiconductorestio2yzno
AT cabezagabrielaf estudioteoricocomparativodelefectodelcoeficienteudehubbardenlossemiconductorestio2yzno
AT morgadececiliainesnora estudioteoricocomparativodelefectodelcoeficienteudehubbardenlossemiconductorestio2yzno
bdutipo_str Repositorios
_version_ 1764820553158361090

Ejemplares similares