Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe

El efecto Hall surge como resultado de la interacción entre corrientes eléctricas y campos magnéticos que atraviesan la muestra, un fenómeno que permite caracterizar las propiedades eléctricas fundamentales de los materiales conductores y especialmente semiconductores. Dicha interacción resulta en l...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Núñez García, Javier Luis Mariano, Heredia, Eduardo Armando, Gilabert, Ulises Eduardo
Formato: Documento de trabajo acceptedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: 2024
Materias:
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/20.500.12272/11127
Aporte de:
id I68-R174-20.500.12272-11127
record_format dspace
spelling I68-R174-20.500.12272-111272024-07-12T20:28:34Z Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe Núñez García, Javier Luis Mariano Heredia, Eduardo Armando Gilabert, Ulises Eduardo HgCdTe Efecto Hall Microscopía óptica Microscopía electrónica de barrido El efecto Hall surge como resultado de la interacción entre corrientes eléctricas y campos magnéticos que atraviesan la muestra, un fenómeno que permite caracterizar las propiedades eléctricas fundamentales de los materiales conductores y especialmente semiconductores. Dicha interacción resulta en la generación de un campo eléctrico perpendicular que da origen a un voltaje transversal. Mediante este efecto se efectúa la identificación del tipo de semiconductor, en tipo n o p. Además, permite la determinación del número de portadores de carga en el material. Midiéndose la resistividad (ρ), es posible calcular la movilidad (µ) y la densidad de los portadores de carga. La medición de la resistividad juega un papel fundamental en la industria de fabricación de semiconductores y dispositivos electrónicos, es esencial para verificar la calidad y uniformidad de los materiales utilizados. Mantener una resistividad uniforme es crítico para asegurar un rendimiento coherente de los dispositivos. Además, la resistividad está interconectada con otras propiedades materiales tales como la conductividad eléctrica, la movilidad de los portadores de carga y la densidad de portadores. Mediante el uso de un equipo construido íntegramente en nuestro laboratorio, se realizaron mediciones Hall de muestras de HgxCd1-xTe crecidas sobre un sustrato de CdTe. Dichos crecimientos se realizaron por medio de un horno VPE (Vapor Phase Epitaxy). Convocatoria Viajes y Eventos FRBA año 2023 UTN FRBA, UNIDEF - MINDEF - CONICET - CITEDEF Núñez García, Javier Luis Mariano. UNIDEF. MINDEF. CONICET. DEMAPE. Argentina Núñez García, Javier Luis Mariano. Centro de Tecnologías Químicas (CTQ). Departamento de Ingeniería Química. UTN. FRBA. Argentina Heredia, Eduardo Armando. UNIDEF. MINDEF. CONICET. DEMAPE. Argentina. Gilabert, Ulises Eduardo. Centro de Tecnologías Químicas (CTQ). Departamento de Ingeniería Química. UTN. FRBA. Argentina Peer Reviewed 2024-07-12T20:28:33Z 2024-07-12T20:28:33Z 2023 info:eu-repo/semantics/workingPaper acceptedVersion http://hdl.handle.net/20.500.12272/11127 spa Denominación del PID: DESARROLLO DE DISPOSITIVOS PARA DETECCIÓN DE RADIACIÓN INFRARROJA A PARTIR DE SEMICONDUCTORES II-VI Código del Proyecto: MATCBA0008790TC openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/ Atribución-NoComercial 4.0 Internacional Núñez García Javier Luis Mariano, Heredia Eduardo Armando, Gilabert Ulises Eduardo Atribución (“Creative Commons Attribution”): En cualquier explotación de la obra autorizada por la licencia será necesario reconocer la autoría (obligatoria en todos los casos). pdf
institution Universidad Tecnológica Nacional
institution_str I-68
repository_str R-174
collection RIA - Repositorio Institucional Abierto (UTN)
language Español
topic HgCdTe
Efecto Hall
Microscopía óptica
Microscopía electrónica de barrido
spellingShingle HgCdTe
Efecto Hall
Microscopía óptica
Microscopía electrónica de barrido
Núñez García, Javier Luis Mariano
Heredia, Eduardo Armando
Gilabert, Ulises Eduardo
Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe
topic_facet HgCdTe
Efecto Hall
Microscopía óptica
Microscopía electrónica de barrido
description El efecto Hall surge como resultado de la interacción entre corrientes eléctricas y campos magnéticos que atraviesan la muestra, un fenómeno que permite caracterizar las propiedades eléctricas fundamentales de los materiales conductores y especialmente semiconductores. Dicha interacción resulta en la generación de un campo eléctrico perpendicular que da origen a un voltaje transversal. Mediante este efecto se efectúa la identificación del tipo de semiconductor, en tipo n o p. Además, permite la determinación del número de portadores de carga en el material. Midiéndose la resistividad (ρ), es posible calcular la movilidad (µ) y la densidad de los portadores de carga. La medición de la resistividad juega un papel fundamental en la industria de fabricación de semiconductores y dispositivos electrónicos, es esencial para verificar la calidad y uniformidad de los materiales utilizados. Mantener una resistividad uniforme es crítico para asegurar un rendimiento coherente de los dispositivos. Además, la resistividad está interconectada con otras propiedades materiales tales como la conductividad eléctrica, la movilidad de los portadores de carga y la densidad de portadores. Mediante el uso de un equipo construido íntegramente en nuestro laboratorio, se realizaron mediciones Hall de muestras de HgxCd1-xTe crecidas sobre un sustrato de CdTe. Dichos crecimientos se realizaron por medio de un horno VPE (Vapor Phase Epitaxy).
format Documento de trabajo
acceptedVersion
author Núñez García, Javier Luis Mariano
Heredia, Eduardo Armando
Gilabert, Ulises Eduardo
author_facet Núñez García, Javier Luis Mariano
Heredia, Eduardo Armando
Gilabert, Ulises Eduardo
author_sort Núñez García, Javier Luis Mariano
title Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe
title_short Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe
title_full Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe
title_fullStr Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe
title_full_unstemmed Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe
title_sort mediciones hall en epitaxias de hg cd te (mct) crecidas sobre sustratos de cdte
publishDate 2024
url http://hdl.handle.net/20.500.12272/11127
work_keys_str_mv AT nunezgarciajavierluismariano medicioneshallenepitaxiasdehgcdtemctcrecidassobresustratosdecdte
AT herediaeduardoarmando medicioneshallenepitaxiasdehgcdtemctcrecidassobresustratosdecdte
AT gilabertuliseseduardo medicioneshallenepitaxiasdehgcdtemctcrecidassobresustratosdecdte
_version_ 1809230360783880192