Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe
El efecto Hall surge como resultado de la interacción entre corrientes eléctricas y campos magnéticos que atraviesan la muestra, un fenómeno que permite caracterizar las propiedades eléctricas fundamentales de los materiales conductores y especialmente semiconductores. Dicha interacción resulta en l...
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2024
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| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/20.500.12272/11127 |
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I68-R174-20.500.12272-111272024-07-12T20:28:34Z Mediciones Hall en epitaxias de Hg Cd Te (MCT) crecidas sobre sustratos de CdTe Núñez García, Javier Luis Mariano Heredia, Eduardo Armando Gilabert, Ulises Eduardo HgCdTe Efecto Hall Microscopía óptica Microscopía electrónica de barrido El efecto Hall surge como resultado de la interacción entre corrientes eléctricas y campos magnéticos que atraviesan la muestra, un fenómeno que permite caracterizar las propiedades eléctricas fundamentales de los materiales conductores y especialmente semiconductores. Dicha interacción resulta en la generación de un campo eléctrico perpendicular que da origen a un voltaje transversal. Mediante este efecto se efectúa la identificación del tipo de semiconductor, en tipo n o p. Además, permite la determinación del número de portadores de carga en el material. Midiéndose la resistividad (ρ), es posible calcular la movilidad (µ) y la densidad de los portadores de carga. La medición de la resistividad juega un papel fundamental en la industria de fabricación de semiconductores y dispositivos electrónicos, es esencial para verificar la calidad y uniformidad de los materiales utilizados. Mantener una resistividad uniforme es crítico para asegurar un rendimiento coherente de los dispositivos. Además, la resistividad está interconectada con otras propiedades materiales tales como la conductividad eléctrica, la movilidad de los portadores de carga y la densidad de portadores. Mediante el uso de un equipo construido íntegramente en nuestro laboratorio, se realizaron mediciones Hall de muestras de HgxCd1-xTe crecidas sobre un sustrato de CdTe. Dichos crecimientos se realizaron por medio de un horno VPE (Vapor Phase Epitaxy). Convocatoria Viajes y Eventos FRBA año 2023 UTN FRBA, UNIDEF - MINDEF - CONICET - CITEDEF Núñez García, Javier Luis Mariano. UNIDEF. MINDEF. CONICET. DEMAPE. Argentina Núñez García, Javier Luis Mariano. Centro de Tecnologías Químicas (CTQ). Departamento de Ingeniería Química. UTN. FRBA. Argentina Heredia, Eduardo Armando. UNIDEF. MINDEF. CONICET. DEMAPE. Argentina. Gilabert, Ulises Eduardo. Centro de Tecnologías Químicas (CTQ). Departamento de Ingeniería Química. UTN. FRBA. Argentina Peer Reviewed 2024-07-12T20:28:33Z 2024-07-12T20:28:33Z 2023 info:eu-repo/semantics/workingPaper acceptedVersion http://hdl.handle.net/20.500.12272/11127 spa Denominación del PID: DESARROLLO DE DISPOSITIVOS PARA DETECCIÓN DE RADIACIÓN INFRARROJA A PARTIR DE SEMICONDUCTORES II-VI Código del Proyecto: MATCBA0008790TC openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/ Atribución-NoComercial 4.0 Internacional Núñez García Javier Luis Mariano, Heredia Eduardo Armando, Gilabert Ulises Eduardo Atribución (“Creative Commons Attribution”): En cualquier explotación de la obra autorizada por la licencia será necesario reconocer la autoría (obligatoria en todos los casos). pdf |
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Universidad Tecnológica Nacional |
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El efecto Hall surge como resultado de la interacción entre corrientes eléctricas y campos magnéticos que atraviesan la muestra, un fenómeno que permite caracterizar las propiedades eléctricas fundamentales de los materiales conductores y especialmente semiconductores. Dicha interacción resulta en la generación de un campo eléctrico perpendicular que da origen a un voltaje transversal. Mediante este efecto se efectúa la identificación del tipo de semiconductor, en tipo n o p. Además, permite la determinación del número de portadores de carga en el material. Midiéndose la resistividad (ρ), es posible calcular la movilidad (µ) y la densidad de los portadores de carga.
La medición de la resistividad juega un papel fundamental en la industria de fabricación de semiconductores y dispositivos electrónicos, es esencial para verificar la calidad y uniformidad de los materiales utilizados. Mantener una resistividad uniforme es crítico para asegurar un rendimiento coherente de los dispositivos.
Además, la resistividad está interconectada con otras propiedades materiales tales como la conductividad eléctrica, la movilidad de los portadores de carga y la densidad de portadores.
Mediante el uso de un equipo construido íntegramente en nuestro laboratorio, se realizaron mediciones Hall de muestras de HgxCd1-xTe crecidas sobre un sustrato de CdTe. Dichos crecimientos se realizaron por medio de un horno VPE (Vapor Phase Epitaxy). |
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