Fabricación de detectores semiconductores de Si(Li) para reacciones nucleares
Se presenta un método para la fabricación de detectores de estado sólido de Si (Li) usando nuevas técnicas para control de profundidad de la zona de compensación total y para control automático del proceso de drift. Se dan algunas características de los detectores fabricados.
Guardado en:
Autor principal: | Erramuspe, H.J. |
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Formato: | Informe Técnico |
Publicado: |
Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA)
2017
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Materias: | |
Aporte de: |
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